이온클러스터빔을이용한반도체소자용구리박막제조방법

Title
이온클러스터빔을이용한반도체소자용구리박막제조방법
Issue Date
1995-07-21
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 이온 클러스터 빔을 이용한 반도체 소자용 구리박막 제조방법에 관한 것으로, 증착할 구리를 도가니에 채우는 단계와, 기판을 증착위치에 올려 놓은 후, 증착조건의 진공을 유지하는 단계와, 구리가 채워진 도가니를 도가니 필라멘트와 도가니 밤바드먼트를 조절함으로써 클러스터 이온 빔을 형성시키는 단계와, 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 조절하여 이온 빔의 일부분을 이온화시키는 단계와, 가속 전압을 조절하여 이온화된 클러스터 이온을 가속시켜 가속된 클러스터 이온 빔과 중성 클러스터 이온 빔을 기판에 증착시키는 단계의 순서로 진행하는 구리박막 제조방법을 제공하여 반도체의 필요조건인 스텝 커버리지를 만족할 뿐 아니라 구리박막의 결정성이 우수해지고, 제조한 박막의 박막저항이 구리 본래의 저항에 가까운 값을 갖는 효과가 있으며, 기판과의 접착력이 우수하여 고품위 반도체 소자용으로 사용시 우수한 특성을 가지도록 한 것이다.
URI
Go to Link
Appears in Collections:
KIST Patent > ETC
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE