WSi₂―SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법

Title
WSi₂―SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법
Issue Date
2006-12-20
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 텅스텐 또는 텅스텐 합금들의 표면상에 형성된 WSi2-SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법들에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재들 표면에 텅스텐 탄화물 피복층 (WC, W2C)을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 방법으로 제조된 나노 복합 피복층은 나노 크기의 등축정 WSi2 결정입계에 나노 크기의 SiC 입자들이 균일하게 분포된 미세조직을 특징으로 하며, 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 입자들의 부피 분율과 분포 형태를 조절하여 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 WSi2-SiC 나노 복합 피복층이 형성된다. 이에 따라, 모재와 피복층의 열팽창계수 차에 의해 발생하는 피복층 내의 크랙을 감소시켜 고온 반복 내산화성을 향상시키며, 또한 SiC의 우선적인 산화에 의해서 피복층의 표면에 치밀한 SiO2 산화피막을 형성함으로서 고온 등온 내산화성의 향상과 더불어, 피복층의 기계적 성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제를 기할 수 있다.
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KIST Patent > 2006
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