상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의제조 방법

Title
상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의제조 방법
Issue Date
2007-10-24
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 하부 전극을 형성하는 공정과; 상기 하부 전극 위에 페로브스카이트 산화물 박막을 형성하는 공정과; 상기 페로브스카이트 산화물 박막 위에 상부 전극을 형성하는 공정; 을 포함하여 이루어지며, 상기 페로브스카이트 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 형성 공정은, 상기 기판의 온도를 상온으로 유지하면서 상압보다 낮은 저압 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법을 제공한다.
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KIST Patent > 2007
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