고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법

Title
고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법
Issue Date
2009-04-21
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 액상의 규소 화합물과 탄소 화합물을 혼합, 교반하여 젤(gel)화시키고, 생성된 젤을 분말 형태로 만들어 젤 분말을 얻은 후, 규소 분말 또는 덩어리(ingot)를 첨가하여 열처리하는 고순도 탄화규소 분말의 저온 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말 제조 공정에 의하여 제조된 1 ㎛ 이하 크기의 탄화규소 분말은 반도체 고온 공정용 치구로 사용할 수 있는 고순도 소결 탄화규소(sintered SiC) 치구 및 반응소결 탄화규소(reaction bonded SiC) 제조용 원료 분말 등으로 사용될 수 있으리라 기대된다.
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KIST Patent > 2009
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