전계 효과 트랜지스터 센서 어레이

Title
전계 효과 트랜지스터 센서 어레이
Issue Date
2011-09-19
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 기판 상의 8×8 센서 어레이를 포함하는 전계 효과 트랜지스터(FET) 센서 어레이로서, 상기 기판을 평면에서 보았을 때, 상기 8×8 센서 어레이는 4개의 제1 내지 제4 센서 그룹으로 구분되며, 상기 제1 내지 제4 센서 그룹은, 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 채널 및 게이트 전극이 형성되어 이루어진 FET 센서 소자가 4×4 센서 어레이 형태로 이루어지되, 제1 및 제2 열에 해당하는 각 FET 센서 소자의 드레인 전극이 일정간격 이격되어 서로 마주보도록 배치됨과 아울러 제1 및 제2 열에 해당하는 각 드레인 전극은 제1 및 제2 열 사이에 열 방향으로 형성된 제1 공통 드레인 라인에 연결되고, 제3 및 제4 열에 해당하는 각 FET 센서 소자의 드레인 전극이 일정간격 이격되어 서로 마주보도록 배치됨과 아울러 제3 및 제4 열에 해당하는 각 드레인 전극은 제3 및 제4 열 사이에 열 방향으로 형성된 제2 공통 드레인 라인에 연결되며, 상기 제1 및 제2 공통 드레인 라인의 일단이 상기 기판의 외곽부에 행 방향으로 형성된 제3 공통 드레인 라인에 연결되며, 제1 내지 제4 열에 해당하는 각 FET 센서 소자의 게이트 전극은 제1 내지 제4 열의 소오스 및 드레인 전극 사이에 열 방향으로 각각 형성된 제1 내지 제4 공통 게이트 라인에 연결되고, 상기 제1 내지 제4 공통 게이트 라인의 일단은 열 방향의 각 센서 그룹 사이에 행 방향으로 형성된 제5 공통 게이트 라인에 연결되며, 상기 제1 내지 제4 센서 그룹에 형성된 각 제3 공통 드레인 라인의 끝단이 상기 기판의 각 모서리 부분에 형성된 제1 내지 제4 공통 드레인 전극에 연결되며, 상기 제1 내지 제4 센서 그룹에 형성된 각 제5 공통 게이트 라인의 끝단이 상기 기판의 외곽 부분에 형성된 제1 내지 제4 공통 게이트 전극에 연결됨으로써, 복수의 검지 물질을 동시에 측정할 수 있다.
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KIST Patent > 2011
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