격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법

Title
격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법
Issue Date
2012-10-24
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
Si 기판상에 제1 AlSb 층을 형성하는 단계 및 상기 제1 AlSb 층 상에 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 제조방법으로서 여러 종류의 GaAs희생층 및 AlSb/AlGaSb SPS등의 다양한 격자 부정합 해소층을 이용하여 화합물 반도체 기판을 제조할 수 있다. 여기서 화합물 반도체 층은 GaSb 층이 될 수 있다.
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2012
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