탄소나노플레이크의 성장 방법 및 이에 의해 형성된 탄소나노플레이크 구조물

Title
탄소나노플레이크의 성장 방법 및 이에 의해 형성된 탄소나노플레이크 구조물
Issue Date
2012-05-09
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명은 전구체 가스인 CH4, H2, Ar의 적절한 조성을 통해 탄소나노튜브의 그래핀층이 부분적으로 식각됨을 유도함과 함께 식각된 부위에서 탄소나노플레이크가 평면상의 형태로 성장되도록 하는 탄소나노플레이크의 성장 방법 및 이에 의해 형성된 탄소나노플레이크 구조물에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 탄소나노플레이크의 성장 방법은 탄소나노튜브가 구비된 실리콘 기판을 준비하는 단계 및 CH4, H2, Ar의 혼합가스를 전구체로 이용하는 화학기상증착 공정을 통해, 상기 탄소나노튜브 상에 탄소나노플레이크를 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 화학기상증착 공정시, CH4, H2, Ar의 혼합가스는 Ar 과잉 분위기이며, Ar 과잉 분위기 하에서 탄소나노튜브를 구성하는 그래핀층이 부분적으로 식각되고, 식각된 지점에서 탄소나노플레이크의 그래핀층이 성장하는 것을 특징으로 한다.
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KIST Patent > 2012
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