Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료

Title
Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료
Issue Date
2013-01-16
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법은, 반응로 내에 구리, 인듐, 갈륨, 및 셀레늄을 포함하는 원재료와 기판을 위치시키는 증착준비단계, 및 운반가스가 일정한 유량으로 흐르는 반응로 내의 온도를 850 내지 1000 ℃ 로 유지하여 CIGS 나노로드 또는 나노와이어를 기판상에 성장시키는 증착단계를 포함한다. 본 발명의 방법에 의하면, 촉매를 사용하지 않으면서도, 균일한 조성 분포와 높은 결정성과 높은 광흡수율을 가지는 직접 천이형 반도체 물질인 Cu(In,Ga)Se2 나노로드 또는 나노와이어를 제공할 수 있다.
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KIST Patent > 2013
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