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dc.date.accessioned2015-12-30T17:00:00Z-
dc.date.available2015-12-30T17:00:00Z-
dc.date.issued2014-06-18-
dc.identifier.other1020140074584-
dc.identifier.urihttp://kpat.kipris.or.kr/kpat/biblioa.do?method=biblioFrame&applno=1020140074584en_US
dc.identifier.urihttp://pubs.kist.re.kr/handle/201004/58327-
dc.description.abstract본 발명의 형광체는, Zn2SiO4:xTb3+,yYb3+ (여기서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인 실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인 실수이다.)와 같이 표시되는 것으로, Tb3+ 및 Yb3+가 도핑되고, 크기가 20 내지 500 nm인 규산아연계 나노입자를 포함한다. 이러한 형광체를 제조하는 방법은, (a) 전구체용액을 준비하는 단계-
dc.description.abstract(b) 침전제를 첨가하여 침전액을 형성하는 단계-
dc.description.abstract(c) 수열처리 하는 단계-
dc.description.abstract및 (d) 소성처리 하여 규산아연계 나노입자를 제조하는 단계-
dc.description.abstract를 포함한다. 이렇게 제조된 상기 형광체는 하향변환 특성을 갖고, 여기될 수 있는 파장의 범위가 넓으며, 이에 태양전지, 자외선 차단 및 변환제, 위조 및 변조 방지 소재 등의 다양한 분야로 적용할 수 있다.-
dc.languageKO-
dc.publisher한국과학기술연구원-
dc.title규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체 및 이의 제조방법-
dc.typePatent-
Appears in Collections:
KIST Patent > 2014
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