이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET) 센서

Title
이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET) 센서
Authors
이관희이석장근혁장현준전민홍조원주
Issue Date
2014-07-28
Publisher
한국과학기술연구원
Abstract
이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET) 센서가 제공되고, 본 발명의 일 실시예에 따른 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET) 센서는 하부 게이트 전극, 하부 게이트 전극 위에 위치하는 하부 절연막, 하부 절연막 위에 위치하고 서로 이격되어 있는 소스 및 드레인, 하부 절연막 위에 위치하고 소스 및 상기 드레인 사이에 위치하는 채널층, 소스, 드레인, 그리고 채널층 위에 위치하는 상부 절연막, 그리고 상부 절연막 위에 위치하는 상부 게이트 전극을 포함하고, 채널층의 두께는 10 nm 이하이고, 초정전결합을 이용한 것일 수 있다.
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Appears in Collections:
KIST Patent > 2014
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