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보론 나이트라이드(BN) 층의 연속적인 형성 방법, 이를 이용한 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법, 및 이로부터 제조된 전계 효과 트랜지스터

Author

이승용; 양철민

Assignee

한국과학기술연구원

Regitration Date

2020-05-06

Registration No.

10-2109930

Application Date

2015-02-04

Application No.

10-2015-0017477

Country

KO

URI

https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/86336

Appears in Collections:

KIST Patent > 2015

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