| 1990-11 | Fabrication and characterization of miniature Si pressure sensor. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1993-01 | Fabrication and characterization of silicon device for flow measurement (I) | 강광남; 이정일; 오명환; 김형곤; 주병권; 이명복 |
| 1987-01 | Fabrication of 1um gate GaAs MESFET and analysis of correlation between dc characteristics and channel parameters. | 강광남; 엄경숙; 이유종 |
| 1991-08 | Filling-up effect of micro-gap by interfacial oxide growing in SFB process | 강광남; 주병권; 이재옥; 김철주; 오명환; 차균현; 이명복 |
| 1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
| 1988-01 | Hot-carrier-induced deradation in submicron MOS transistors. | 강광남; 최병진 |
| 1994-01 | Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer. | 강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만 |
| 1992-01 | In0.52Al0.48As 장벽사이에서의 In0.65GaO0.35As/In0.53Ga0.47As 양자우물에서의 부띠에너지와 파동함수의 결정 | 강광남; 이정일; 김태환; 강승언; 이규석 |
| 1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
| 1996-01 | Knowledge based automated boundary detection for quantifying of left ventricular function in low contrast angiographic images. | 전춘기; 권용무; 강광남; 이태원 |
| 1987-01 | Monolithic microwave integrated circuits 의 현황과 장래전망 . | 강광남 |
| 1989-01 | Negative photomagnetoconductivity in thin semiconductor films. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1983-01 | On the role of exact boundary conditions in phototransport phenomena : case of SI-GaAs. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1992-01 | PECVD 방법에 의해 제작된 SiNx/InP MIS 구조의 bias stress 에 의한 C-V 및 G-V 곡선의 변화 . | 강광남; 이정일; 이명복; 한일기; 이유종 |
| 1995-01 | Plasma effect in dielectric cap quantum well disordering using plasma enhanced chemical vapor deposited SiN capping layer. | 이석; W. J. Choi; J. Zhang; 김용; S. K. Kim; 이정일; 강광남; K. Cho |
| 1990-01 | Reduction of transconductance in saturation region of short channel LDD NMOSFETs. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1995-01 | Selective etching characteristics of ITO/semiconductor and ITO/BaTiO//3 structures by reactive ion etching. | 강광남; 이정일; 한일기; 이윤희; 김회종; 이석; 오명환; 김선호; 박홍이 |
| 1984-01 | Semi-insulating GaAs 의 재료 특성과 응용 . | 강광남 |
| 1991-01 | Simple model for gate-voltage dependent parasitic resistance in short channel lightly doped drain metal oxide semiconductor field effect transistors. | 강광남; 이정일; 이명복; S. Y. Lee; 윤경식 |
| 1993-03 | Simple Model for the Second Substrate Current Hump in Short-Channel LDD MOSFETs | LEE, MYOUNG BOG; 이정일; 강광남; K. S. Yoon; K. Y. Lim; H. Lim |
| 1993-01 | Simple Semi-Analytic Model for the Substrtate Current of Short Channel MOSFETs with Lightly Doped Drains | LEE, MYOUNG BOG; 이정일; 강광남; K. S. Yoon; K. Y. Lim; H. Lim |
| 1993-01 | Surface passivated InP metal-semiconductor-metal schottky diode. | 강광남; 이정일; 한일기; Y. J. Lee; W. J. Choi; G. H. Park |
| 1984-01 | Temperature dependence of hall mobility and electrical conductivity in SiMOX films. | 강광남 |
| 1988-01 | The effects of residual oxide layers formed after chemical etching on the electrical characteristics of Al/GaAs schottky barrier. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1974-01 | The electrooptical rotation of vertically aligned nematic MBBA layers. | 강광남 |
| 1984-01 | The feld-assisted photomagneto-electric effect : Theory and experiment in semi-insulating GaAs. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1988-01 | The optical properties and photodarkening effect of As//4SxSe//5//-//xGe amorphous thin films. | 강광남; W. J. Choi; J. S. Lee; B. H. Lee |
| 1989-01 | The shift of threshold voltage and subthreshold current curve in LDD MOSFET degraded under difference DC stress-biases. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1984-01 | Theory of the field-assisted photomagnetoelectric effect in thin films : Experiment on n-type GaAs and applications. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1984-01 | Vieillissement des transistors MOS submicroniques apres contrainte electrique revue. | 강광남 |
