| 1996-07 | CBr4 가스를 사용하여 (100) 및 2 ˚ off (100) GaAs 기판 위에 성장한 탄소도핑된 GaAs 에피층의 전기적 성질 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1997-08-08 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1998-11-21 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1999-02-02 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1994-01 | CCl4 가스를 이용한 대기압 MOCVD로 성장시킨 InGaAs에서의 탄소도핑 특성 | 김용; 손창식; 김성일; 이민석; 김무성; 최인훈; 민석기 |
| 1996-01 | Characteristics of the plasma-induced GaAs nitride layer and its application for the selective area growth. | 김성일; 민석기; 김은규; 박영주; 최원철; 이상훈; 손맹호 |
| 1996-01 | Cross sectional analysis of laser etched groove on AlGaAs/GaAs multilayers. | 김성일; 민석기; 박세기; 김은규; 이천 |
| 1997-05 | Dependence of the electrical properties of carbon-doped GaAs and AlGaAs epilayers on the surface crystallographica orientation | 손창식; 박영균; 이승백; 김용; 김은규; 최인훈; 김성일; 민석기 |
| 1996-01 | Effects of a rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs. | 손창식; 김성일; 김태근; 김용; 김무성; 민석기 |
| 1999-11 | Efficiency enhancement of quantum-structure solar cells utilizing InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells | 김효진; 박영균; 박용주; 김성일; 김은규; 김태환 |
| 1989-10 | Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . | 김은규; 조훈영; 김성일; 민석기 |
| 1994-01 | Experimental and computational analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroface solar cells grown by low-pressure MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 안준오; 박양근 |
| 1990-01 | Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD. | 김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1993-01 | Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕 |
| 1992-01 | Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh |
| 1999-07 | Facet evolution as a function of the surface migration length of Al0.5Ga0.5As/GaAs multilayers grown on mesa-patterned GaAs substrates | 김효진; 박영균; 김성일; 김은규; 김태환 |
| 1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1996-01 | GaAs/AlGaAs quantum wire laser with an effective current blocking layer. | 김성일; 민석기; 김태근; 김은규; 박경현; 황성민; 박정호 |
| 1996-01 | Heavily carbon-doped GaAs epilayers grown on (100) and 2 ˚ off (100) GaAs substrates using carbon tetrabromide. | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
| 1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
| 2008-06 | lll-V족 고효율 화합물 반도체 태양전지 기술개발 동향 | 김성일 |
| 1993-01 | LPMOCVD 방법에 의한 탄소도핑된 갈륨비소 에피층의 격자 수축 및 임계두께 해석 . | 김성일; 김무성; 민석기 |
| 1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
| 1990-02 | MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1994-01 | Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오 |
| 2007-12 | PCB 4층 사각코일과 Nd 자석을 이용한 초소형발전기의 특성 | 이동호; 김성일; 이윤표; 장영수 |
| 2003-06 | Pt/SBT/Si, Pt/SBT/Pt 강유전체 게이트 구조에서 수소 열화 현상 및 IR 게이트 전극에 의한 열화 방지 방법 | 박전웅; 김익수; 김성일; 김용태; 성만영 |
| 2009-09 | SMD 타입 태양전지 어레이를 이용한 USN용 전원 공급 장치 | 김성일 |
| 2009-12 | SMD 타입 태양전지 어레이를 이용한 white GaN LED용 전원 공급 장치 | 김성일; 이윤표 |
