| 1988-10 | Anomalous conduction band density of state in AlGaAs alloys. | 김용; 김무성; 민석기 |
| 1994-01 | Atomic force microcopy를 이용한 Al0.5Ga0.5As/GaAs 다층 에피층구조의 단면관찰에 관한 연구 | 김용; 김희진; 김재성; 김무성; 민석기 |
| 1992-07 | Behavior of the two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs grown by atmospheric MOCVD. | 김용; 김태환; 김무성; 민석기 |
| 1995-12 | Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers. | 김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim |
| 1994-01 | CCl4 가스를 이용한 대기압 MOCVD로 성장시킨 InGaAs에서의 탄소도핑 특성 | 김용; 손창식; 김성일; 이민석; 김무성; 최인훈; 민석기 |
| 1991-01 | Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry. | 김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기 |
| 1990-03 | Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI). | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1997-05 | Dependence of the electrical properties of carbon-doped GaAs and AlGaAs epilayers on the surface crystallographica orientation | 손창식; 박영균; 이승백; 김용; 김은규; 최인훈; 김성일; 민석기 |
| 1996-01 | Effects of a rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs. | 손창식; 김성일; 김태근; 김용; 김무성; 민석기 |
| 1996-09 | Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots. | 김용; R. Leon; C. Jagadish; M. Gal; J. Zou; D. J. H. Cockayne |
| 1994-01 | Experimental and computational analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroface solar cells grown by low-pressure MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 안준오; 박양근 |
| 1990-01 | Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD. | 김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1993-01 | Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕 |
| 1992-01 | Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh |
| 1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1996-01 | GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구 | 손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수 |
| 1997-11-20 | GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법 | 민석기; 이민석; 김용; 김무성 |
| 1989-04 | Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace | 박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철 |
| 1988-09 | Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD. | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1994-01 | Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer. | 강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만 |
| 1988-08 | In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ | 김용; 한철원; 김현수; 민석기 |
| 1999-09 | Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates | 황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용 |
| 1996-01 | Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD. | 임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호 |
| 1993-03 | MOCVD 기법으로 제작한 AlyGa1-yAs/Al χ Ga1- χ As/AlyGa1-yAs strip-loaded 도파도의 전파손실 측정 | 김용; 박경현; 최상삼; 김선호; 변영태 |
| 1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1989-06 | MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
| 1991-01 | MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 . | 김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
| 1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
| 1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
| 1988-11 | MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
