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1999-09Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용
1996-01Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD.임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호
1993-03MOCVD 기법으로 제작한 AlyGa1-yAs/Al χ Ga1- χ As/AlyGa1-yAs strip-loaded 도파도의 전파손실 측정김용; 박경현; 최상삼; 김선호; 변영태
1989-10MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1989-06MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1991-01MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 .김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기
1996-09MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
1991-02MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 .김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기
1988-11MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1990-02MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 .김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기
1994-01Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오
1995-01Plasma effect in dielectric cap quantum well disordering using plasma enhanced chemical vapor deposited SiN capping layer.이석; W. J. Choi; J. Zhang; 김용; S. K. Kim; 이정일; 강광남; K. Cho
1998-05Properties of wafer-fused In0.2Ga0.8As/GaAs and InP/GaAs heterointerfaces최창학; 황성민; 김용; 김은규; 민석기; 남산; 변재동
1995-03Scanning tunneling microscopy를 이용한 Nanometer 크기의 구조제작에 관한 연구김용; 김희진; 김무성; 민석기
1990-04Stress released layers formed by pulsed ruby laser annealing on GaAs-on-Si.김용; 김무성; KIM, EUN KYU; 김현수; 민석기; 이현우; 김재관; 이주천
1992-09Strip-loaded 반도체 도파로에서 Bend 높이에 따른 복사손실 .김용; 변영태; 박경현; 김선호; 최상삼
1988-10Structural properties of GaAs grown on (100) Si substrates by MOCVD김용; 김무성; 김현수; 민석기
1993-01Study on the lateral island extension for growth-intersupted GaAs/Al0.3Ga0.7As single quantum wells grown by atmospheric-pressure metalorganic chemical vapor deposition김용; 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김영덕
1992-01Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석
1993-01Temperature dependent PL characteristics of C-doped GaAs by LPMOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석
1993-01The properties of the quantum wires grown on V-grooved Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs substrate at atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition.김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김용; 김영덕; 남산
1994-01The study of facet evolution of AlGaAs/GaAs and AlAs/GaAs multilayers on mesa-patterned GaAs substrate by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 이민석; 박영주
1994-01The temperature dependence of the electrical properties of carbon doped GaAs.김성일; 민석기; 김용; 김무성
1988-04X- 선 회절방법에 의한 Al// χ Ga//1//-// χ As,In// χ Ga//1//-// χ As 의 AlAs,InAs 조성결정 .김용; 김무성; 김현수; 박승철; 한철원; 민석기
1999-10-21격자 부정합을 이용한 광전소자용 광및 전류차단구조 및 그 제조 방법김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용
1996-05고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적성질에 대한 급속열처리효과손창식; 김성일; 민병돈; 김태근; 김용; 김무성; 김은규; 민석기; 최인훈
1999-06-16고밀도 양자점 어레이 형성방법김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용
1999-06-16고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용
1999-11-12광전소자의 전류차단구조 형성방법김성일; 손창식; 민석기; 김용; 김은규; 박영균
2001-04급속열처리산화법으로 형성시킨 SiO₂/나노결정 Si의 전기적 특성 연구김용; 박경화; 정태훈; 박홍준; 이재열; 최원철; 김은규

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