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Issue Date | Title | Author(s) |
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1989-02 | 무전위 GaAs:In 의 급속열처리에 따른 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 박일우; 민석기; 심광보; 한철원; 조성호 |
2001-01 | 반도체 양자점 소자 | 김은규 |
2000-12 | 반도체, 그 반세기의 역사와 미래 : 트랜지스터부터 양자 IC까지 | 김은규; 노삼규 |
2000-10-26 | 반도체 과도용량 측정장비의 온도조절장치 | 김춘근; 김은규; 박용주 |
2004-07-07 | 보자력 차이를 이용한 거대자기저항 스핀밸브의 자기저항 박막 제조방법 | 김광윤; 김은규; 최원준 |
1999-09-15 | 산화 알루미늄 갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
1999-06-16 | 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
2002-09-27 | 세륨실리케이트 발광재료 및 그 제조방법 | 최원철; 김은규 |
1991-04 | 수소화에 따른 N 형 GaAs 의 전기적 특성 변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 박승철; 김현수 |
1988-07 | 수소화에 의한 GaAs 내의 deep level 생성 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 김재붕; 장진 |
1999-03-23 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
1999-03-16 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
2000-03-31 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
1999-05-10 | 실리콘 미세결정 제조 방법 | 민석기; 김은규 |
1997-11 | 양극 산화법에 의한 자연 산화막의 특성 및 응용 | 박용주; 민석기; 김은규; 장영준; 한철구; 김광무; 오치성; 박창엽 |
2000-07-03 | 양자구조 형성 방법 | 김은규; 박용주 |
1999-05-18 | 양자세선 레이저 다이오드 제작방법 | 민석기; 김태근; 김은규 |
1999-09-15 | 양자세선 레이저 다이오드 제작방법 | 민석기; 김태근; 김은규 |
2000-01-08 | 양자세선 제조방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김용; 김은규; 손창식 |
2002-01 | 양자우물 무질서 공정을 이용한 양자우물 적외선 검출기의 반응대역 변화 | 신재철; 최원준; 한일기; 박용주; 김은규; 이정일; 김희재; 최정우; 강광남 |
2005-12-29 | 양자우물 무질서화 기술을 이용한 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법 | 최원준; 이정일; 신재철; 조운조; 한일기; 박용주; 김은규 |
2003-03-12 | 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 | 박용주; 김광무; 김은규 |
2004-02-24 | 양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 | 박용주; 김광무; 김은규 |
2005-07-13 | 양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법 | 최원준; 박용주; 김은규; 한일기; 이정일; 조운조; 이정호 |
2000-10-07 | 양자점 트랜지스터 제조방법 | 김은규; 황성우; 김용 |
1996-05 | 여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성 | 민병돈; 황성민; 손창식; 김성일; 김무성; 김은규; 민석기; 박만장 |
1991-08 | 열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호 |
1990-02 | 열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 . | 김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호 |
1998-12-11 | 오렌지색발광 산화인듐박막의 형성방법 | 민석기; 김은규; 이민석 |
1997-11 | 유기금속 화학기상 증착법으로 성장시킨 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 띠간격 축소 효과 | 김성일; 민석기; 김은규; 조신호; 이달진; 최인훈 |