DSpace at KIST

Browsing byAuthor김은규

Jump to:
All A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
가 나 다 라 마 바 사 아 자 차 카 타 파 하
  • Sort by:
  • In order:
  • Results/Page
  • Authors/Record:

Showing results 105 to 132 of 132

Issue DateTitleAuthor(s)
1997-11양극 산화법에 의한 자연 산화막의 특성 및 응용박용주; 민석기; 김은규; 장영준; 한철구; 김광무; 오치성; 박창엽
2000-07-03양자구조　형성　방법김은규; 박용주
1999-05-18양자세선　레이저　다이오드　제작방법민석기; 김태근; 김은규
1999-09-15양자세선　레이저　다이오드　제작방법민석기; 김태근; 김은규
2000-01-08양자세선　제조방법김성일; 박영균; 민석기; 김용; 김은규; 손창식
2002-01양자우물 무질서 공정을 이용한 양자우물 적외선 검출기의 반응대역 변화신재철; 최원준; 한일기; 박용주; 김은규; 이정일; 김희재; 최정우; 강광남
2005-12-29양자우물 무질서화 기술을 이용한 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법최원준; 이정일; 신재철; 조운조; 한일기; 박용주; 김은규
2003-03-12양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자박용주; 김광무; 김은규
2004-02-24양자점 구조 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자박용주; 김광무; 김은규
2005-07-13양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법최원준; 박용주; 김은규; 한일기; 이정일; 조운조; 이정호
2000-10-07양자점　트랜지스터　제조방법김은규; 황성우; 김용
1996-05여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성민병돈; 황성민; 손창식; 김성일; 김무성; 김은규; 민석기; 박만장
1991-08열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 .김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호
1990-02열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 .김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호
1998-12-11오렌지색발광　산화인듐박막의　형성방법민석기; 김은규; 이민석
1997-11유기금속 화학기상 증착법으로 성장시킨 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 띠간격 축소 효과김성일; 민석기; 김은규; 조신호; 이달진; 최인훈
1998-05유기금속 화학증착법을 이용한 패터닝된 TiN/BPSG 기판에서의 선택적 구리 증착김근국; 김영석; 곽성관; 김은규; 민석기; 박만장
1989-01이온주입된 실리콘의 excimer laser annealing 효과 .김성일; 김은규; 김용태; 김춘근; 김무성; 민석기
2002-10-23이종　단결정박막의　접합　및　덧성장 방법박용주; 김은규; 황성민
2003-03-18이종　단결정박막의　접합　및　덧성장 방법박용주; 김은규; 황성민
1997-03전자선 리소그라피법에 의한 동일평면게이크 트랜지스터의 제작과 특성 연구 .김은규; 민석기; 김광무; 한철구; 정석구; 박종윤; 박종호
2000-08-03전자싸이크로트론　공명　플라즈마에서　활성이온　및　활성분자（또는　활성원　자）생성율　제어방법박용주; 민석기; 김은규
1998-03-20주기율표III-V족　화합물　반도체의 건식　에칭방법민석기; 김은규
2001-01-11질소플라즈마를　이용한　선택적　금속 박막　증착방법　및　그를　이용한　다층금속　연결배선　방법민석기; 곽성관; 김영석; 김은규
2000-01질화물·탄화물 반도체의 응용과 연구개발 현황노삼규; 김은규
2002-11-05집속이온빔을　이용한　나노결정체　형성방법김은규; 심재환; 김태환; 박용주; 강승언; 추동철
2003-01-20집속이온빔을　이용한　나노결정체　형성방법김은규; 심재환; 김태환; 박용주; 강승언; 추동철
2000-10-26패턴된　기판을　이용한　양자세선　제작방법김성일; 박영균; 민석기; 김용; 김은규; 손창식
12345

BROWSE