| 1977-03-17 | 액정주입장치 | 정원; 강광남; 민석기 |
| 1977-03-17 | 액정표시기용 유리기판 표면처리장치 | 최규원; 김형대; 민석기 |
| 1978-06-12 | 액정표시기의 액정주입홈 | 최규원; 강광남; 민석기 |
| 1997-11 | 양극 산화법에 의한 자연 산화막의 특성 및 응용 | 박용주; 민석기; 김은규; 장영준; 한철구; 김광무; 오치성; 박창엽 |
| 1999-05-18 | 양자세선 레이저 다이오드 제작방법 | 민석기; 김태근; 김은규 |
| 1999-09-15 | 양자세선 레이저 다이오드 제작방법 | 민석기; 김태근; 김은규 |
| 2000-01-08 | 양자세선 제조방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김용; 김은규; 손창식 |
| 1996-05 | 여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성 | 민병돈; 황성민; 손창식; 김성일; 김무성; 김은규; 민석기; 박만장 |
| 1991-08 | 열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호 |
| 1990-02 | 열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 . | 김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호 |
| 1998-12-11 | 오렌지색발광 산화인듐박막의 형성방법 | 민석기; 김은규; 이민석 |
| 1997-11 | 유기금속 화학기상 증착법으로 성장시킨 탄소 도핑된 GaAs 에피층의 띠간격 축소 효과 | 김성일; 민석기; 김은규; 조신호; 이달진; 최인훈 |
| 1998-05 | 유기금속 화학증착법을 이용한 패터닝된 TiN/BPSG 기판에서의 선택적 구리 증착 | 김근국; 김영석; 곽성관; 김은규; 민석기; 박만장 |
| 1989-01 | 이온주입된 실리콘의 excimer laser annealing 효과 . | 김성일; 김은규; 김용태; 김춘근; 김무성; 민석기 |
| 1993-01 | 이중 이종 접합 구조 스트라이프 타입 반도체 레이저 다이오드 특성 해석 . | 김성일; 김무성; 민석기 |
| 1992-01 | 저압 MOCVD 에 의한 GaAs 에피층의 Carbon 도핑특성 . | 김용; 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성; 곽병현; 마동성 |
| 1997-03 | 전자선 리소그라피법에 의한 동일평면게이크 트랜지스터의 제작과 특성 연구 . | 김은규; 민석기; 김광무; 한철구; 정석구; 박종윤; 박종호 |
| 1977-07-25 | 전자시계용 케이스 | 민석기 |
| 1977-07-25 | 전자시계용 케이스 | 민석기 |
| 1977-07-25 | 전자시계용 케이스 | 민석기 |
| 2000-08-03 | 전자싸이크로트론 공명 플라즈마에서 활성이온 및 활성분자（또는 활성원 자）생성율 제어방법 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1998-03-20 | 주기율표III-V족 화합물 반도체의 건식 에칭방법 | 민석기; 김은규 |
| 2001-01-11 | 질소플라즈마를 이용한 선택적 금속 박막 증착방법 및 그를 이용한 다층금속 연결배선 방법 | 민석기; 곽성관; 김영석; 김은규 |
| 1998-11-13 | 축방향자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치 | 박용주; 민석기 |
| 1998-06-23 | 축방향자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치 | 박용주; 민석기 |
| 1999-03-12 | 축방향자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치 | 박용주; 민석기 |
| 1988-01 | 텅스텐 할로겐 램프에 의한 절연층상의 실리콘박막급속열처리 . | 김용태; 민석기; 김춘근 |
| 1993-10-06 | 텅스텐 박막제조용 플라즈마 화학증착온도 측정장치 | 김용태; 민석기 |
| 1993-08-03 | 텅스텐 박막제조용 플라즈마 화학증착온도 측정장치 | 김용태; 민석기 |
| 1995-09-20 | 텡스텐 질화박막을 베리어 메탈로 이용한 실리콘 반도체 소자의 알루미늄금속배선 형성 방법 | 김용태; 민석기 |
