| 1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1989-05 | GaAs single crystal growth by the monitoring(DM) crystal grower. | 박용주; 박승철; 한철원; 민석기; 심광보 |
| 1991-05 | GaAs single crystal growth by the VGF technique. | 박용주; 박승철; 한철원; 민석기; 심광보 |
| 1997-09 | GaAs 표면의 질화 및 결함생성에 관한 연구 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1996-01 | GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구 | 손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수 |
| 1996-01 | GaAs/AlGaAs quantum wire laser with an effective current blocking layer. | 김성일; 민석기; 김태근; 김은규; 박경현; 황성민; 박정호 |
| 1997-11-20 | GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법 | 민석기; 이민석; 김용; 김무성 |
| 1989-04 | Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace | 박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철 |
| 1994-01 | Growth and characterization of semi-insulating GaAs co-doped with Cr and In by vertical gradient freeze technique. | 박용주; 민석기; 심기대; 박만장 |
| 1994-06 | Growth and characterization of VGF GaAs single crystal under the application of axial magnetic field. | 박용주; 민석기; 윤경식 |
| 1991-01 | Growth of GaAs crystal by an improved VGF apparatus. | 한철원; 심광보; 박용주; 박승철; 민석기 |
| 1996-07 | Growth of TiO2 dielectric thin films on Si(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and the electrical properties of the Al/TiO2/p-Si structures | 염상섭; 김은규; 민석기; 한영기; 임종수; 손맹호 |
| 1988-04 | HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1987-12 | HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II). | 김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기 |
| 1996-01 | Heavily carbon-doped GaAs epilayers grown on (100) and 2 ˚ off (100) GaAs substrates using carbon tetrabromide. | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1988-09 | Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD. | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 2000-05-25 | III족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1995-03 | In-situ process 에 의한 indium oxide 의 선택성장과 GaAs 패턴에칭 . | 김은규; K. Ozasa; Y. Aoyaki; 민석기 |
| 1988-08 | In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ | 김용; 한철원; 김현수; 민석기 |
| 1994-11 | Influence of a magnetic field on the temperature distribution in a Ga-melt. | 박용주; 민석기; 한승호; 윤종규 |
| 1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
| 1988-02 | Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1989-08 | Isothermal capacitance transient spectroscopy(ICTS) study for midgap levels in HB-GaAs by rapid thermal annealing. | 김은규; 조훈형; 민석기; 조성호 |
| 1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
| 1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
| 1998-07 | Localization of quantum dots by using a patterned gallium oxide mask layer | 박용주; 한철구; 장영준; 오치성; 정석구; 고동완; 김광무; 김은규; 민석기 |
| 1993-01 | LPMOCVD 방법에 의한 탄소도핑된 갈륨비소 에피층의 격자 수축 및 임계두께 해석 . | 김성일; 김무성; 민석기 |
| 1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
| 1993-08 | MBE 장치에 의한 에피성장 균일도 계산 . | 김은규; 윤경식; 민석기 |
