2000-05-25 | III족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치 | 박용주; 민석기; 김은규 |
1995-03 | In-situ process 에 의한 indium oxide 의 선택성장과 GaAs 패턴에칭 . | 김은규; K. Ozasa; Y. Aoyaki; 민석기 |
1988-08 | In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ | 김용; 한철원; 김현수; 민석기 |
1994-11 | Influence of a magnetic field on the temperature distribution in a Ga-melt. | 박용주; 민석기; 한승호; 윤종규 |
1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
1988-02 | Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
1989-08 | Isothermal capacitance transient spectroscopy(ICTS) study for midgap levels in HB-GaAs by rapid thermal annealing. | 김은규; 조훈형; 민석기; 조성호 |
1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
1998-07 | Localization of quantum dots by using a patterned gallium oxide mask layer | 박용주; 한철구; 장영준; 오치성; 정석구; 고동완; 김광무; 김은규; 민석기 |
1993-01 | LPMOCVD 방법에 의한 탄소도핑된 갈륨비소 에피층의 격자 수축 및 임계두께 해석 . | 김성일; 김무성; 민석기 |
1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
1993-08 | MBE 장치에 의한 에피성장 균일도 계산 . | 김은규; 윤경식; 민석기 |
1996-01 | Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD. | 임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호 |
1989-01 | Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride films. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
1989-06 | MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
1991-01 | MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 . | 김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
1988-11 | MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
1990-02 | MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
1996-10 | Molecular-dynamics study of defect formation in hydrogenated amorphous silicon. | 박영균; 김은규; 민석기 |
1994-01 | Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오 |
1993-01 | PECVD 법으로 형성한 W//6//7N//3//3/GaAs 구조의 열적 특성 . | 김용태; 민석기; 홍종성; 이세정; 이창우; 이종무 |
1994-01 | Performance of plasma deposited tungsten and tungsten nitride schottky contacts to GaAs. | 김용태; 이창우; 민석기 |
1994-01 | Performance of the plasma deposited tungsten nitride barrier to prevent the interdiffusion of Al and Si. | 이창우; 김용태; 이주천; Jeong Yong Lee; 민석기; 박영욱 |
1993-01 | Performance of the plasma deposited tungsten nitride diffusion barrier for Al and Au metallization. | 김용태; 이창우; 민석기 |
1990-12 | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS). | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |