Browsing byAuthor민석기

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2000-05-25III족 금속원소 질화물의 미세결정  제조방법 및 장치박용주; 민석기; 김은규
1995-03In-situ process 에 의한 indium oxide 의 선택성장과 GaAs 패턴에칭 .김은규; K. Ozasa; Y. Aoyaki; 민석기
1988-08In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ 김용; 한철원; 김현수; 민석기
1994-11Influence of a magnetic field on the temperature distribution in a Ga-melt.박용주; 민석기; 한승호; 윤종규
1996-10Instability of anodically sulfur-treated InP.김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park
1988-02Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철
1989-08Isothermal capacitance transient spectroscopy(ICTS) study for midgap levels in HB-GaAs by rapid thermal annealing.김은규; 조훈형; 민석기; 조성호
1992-08Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수
1997-05Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures.박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성
1996-01Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD.김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재
1998-07Localization of quantum dots by using a patterned gallium oxide mask layer박용주; 한철구; 장영준; 오치성; 정석구; 고동완; 김광무; 김은규; 민석기
1993-01LPMOCVD 방법에 의한 탄소도핑된 갈륨비소 에피층의 격자 수축 및 임계두께 해석 .김성일; 김무성; 민석기
1994-02MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 .김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기
1993-08MBE 장치에 의한 에피성장 균일도 계산 .김은규; 윤경식; 민석기
1996-01Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD.임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호
1989-01Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride films.김용태; 김춘근; 민석기
1989-10MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1989-06MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1991-01MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 .김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기
1996-09MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
1991-02MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 .김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기
1988-11MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1990-02MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 .김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기
1996-10Molecular-dynamics study of defect formation in hydrogenated amorphous silicon.박영균; 김은규; 민석기
1994-01Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오
1993-01PECVD 법으로 형성한 W//6//7N//3//3/GaAs 구조의 열적 특성 .김용태; 민석기; 홍종성; 이세정; 이창우; 이종무
1994-01Performance of plasma deposited tungsten and tungsten nitride schottky contacts to GaAs.김용태; 이창우; 민석기
1994-01Performance of the plasma deposited tungsten nitride barrier to prevent the interdiffusion of Al and Si.이창우; 김용태; 이주천; Jeong Yong Lee; 민석기; 박영욱
1993-01Performance of the plasma deposited tungsten nitride diffusion barrier for Al and Au metallization.김용태; 이창우; 민석기
1990-12Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS).김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원

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