| 1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
| 1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
| 1998-07 | Localization of quantum dots by using a patterned gallium oxide mask layer | 박용주; 한철구; 장영준; 오치성; 정석구; 고동완; 김광무; 김은규; 민석기 |
| 1993-01 | LPMOCVD 방법에 의한 탄소도핑된 갈륨비소 에피층의 격자 수축 및 임계두께 해석 . | 김성일; 김무성; 민석기 |
| 1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
| 1993-08 | MBE 장치에 의한 에피성장 균일도 계산 . | 김은규; 윤경식; 민석기 |
| 1996-01 | Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD. | 임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호 |
| 1989-01 | Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride films. | 김용태; 김춘근; 민석기 |
| 1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1989-06 | MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
| 1991-01 | MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 . | 김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
| 1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
| 1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
| 1988-11 | MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
| 1990-02 | MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
| 1996-10 | Molecular-dynamics study of defect formation in hydrogenated amorphous silicon. | 박영균; 김은규; 민석기 |
| 1994-01 | Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오 |
| 1993-01 | PECVD 법으로 형성한 W//6//7N//3//3/GaAs 구조의 열적 특성 . | 김용태; 민석기; 홍종성; 이세정; 이창우; 이종무 |
| 1994-01 | Performance of plasma deposited tungsten and tungsten nitride schottky contacts to GaAs. | 김용태; 이창우; 민석기 |
| 1994-01 | Performance of the plasma deposited tungsten nitride barrier to prevent the interdiffusion of Al and Si. | 이창우; 김용태; 이주천; Jeong Yong Lee; 민석기; 박영욱 |
| 1993-01 | Performance of the plasma deposited tungsten nitride diffusion barrier for Al and Au metallization. | 김용태; 이창우; 민석기 |
| 1990-12 | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS). | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
| 1991-01 | Plasma enhanced chemical vapor deposition of low-resistive tungsten thin films. | 김용태; 민석기; 홍종성; 김충기 |
| 1996-04 | Post-growth annealing effects of low-temperature grown TiO//2 thin films on InP substrate by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. | 김은규; 민석기; 염상섭; 손맹호; 한영기; 왕채현 |
| 1996-04 | Postgrowth annealing effects of TiO//2 thin filmas grown on InP substrate at low-temperature by metal-organic chemical-va[pr deposition. | 김은규; 손맹호; 민석기; 한영기; 왕채현; 염상섭 |
| 1998-05 | Properties of wafer-fused In0.2Ga0.8As/GaAs and InP/GaAs heterointerfaces | 최창학; 황성민; 김용; 김은규; 민석기; 남산; 변재동 |
| 1995-06 | Role of Cr in a GaAs crystal for obtaining a semi-insulating property. | 박용주; 민석기; 박일우; 염태호; 조성호 |
| 1991-06 | Role of hydrogen atom on metastable defects in GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기; C. Lee |
| 1987-12 | RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I). | 김은규; 조훈영; 한철원; 김춘근; 민석기 |
