| 1992-01 | Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석 |
| 1993-01 | Temperature dependent PL characteristics of C-doped GaAs by LPMOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석 |
| 1995-01 | The carbon doping characteristics of GaAs epilayers grown on GaAs substrates with various crystal orientations. | 김성일; 민석기; 민병돈; 황성민; 김무성 |
| 1995-01 | The characteristics of nitrogen implanted tungsten film as a new diffusion barrier for metal organic chemical vapor deposited Cu metallization. | 김용태; 민석기; C. S. Kwon; I. H. Choi |
| 1995-01 | The facet evolution analysis of GaAs/AlGaAs multilayers grown on GaAs substrates with various patterns using CCl//4. | 김성일; 민석기; 황성민; 민병돈; 김무성 |
| 1991-12 | The observation of striation in GaAs : Si single crystal grown by horizontal bridgman method. | 박용주; 박찬용; 박승철; 한철원; 민석기; 김기수 |
| 1993-01 | The properties of the quantum wires grown on V-grooved Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs substrate at atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition. | 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김용; 김영덕; 남산 |
| 1994-01 | The study of facet evolution of AlGaAs/GaAs and AlAs/GaAs multilayers on mesa-patterned GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 이민석; 박영주 |
| 1994-01 | The temperature dependence of the electrical properties of carbon doped GaAs. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성 |
| 1987-01 | Theoretical calculations on absorption, emission and gain spectra in AlGaAs active layer of the visible DH laser diode. | 김성일; 민석기; 엄경숙; 김무성 |
| 1995-07 | Thermal stability of a RuO//2 schottky contact on (NH//4)//2S//χ treated n-type GaAs. | 박용주; 김은규; 손맹호; 임종수; 민석기 |
| 1995-01 | Thermal stability of the EL2 deep level in an AM-VGF GaAs: In single crystal. | 박용주; 민석기; 김은규; 심기대; 박만장 |
| 1988-12 | Twinned GaAs 에 대한 전기적 특성연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1989-02 | VPE 법으로 성장한 In//xGa//1//-//xAs(x<0.035)/GaAs 에피층내의 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 윤주훈; 김현수; 조성호 |
| 1988-04 | X- 선 회절방법에 의한 Al// χ Ga//1//-// χ As,In// χ Ga//1//-// χ As 의 AlAs,InAs 조성결정 . | 김용; 김무성; 김현수; 박승철; 한철원; 민석기 |
| 1995-02 | X-ray study of semiconductor crystals. | 박용주; 민석기; 김영미; 김현미; 이혜영; 김광우; 염효영; 박영한 |
| 1997-06 | X-ray triple crystal diffraction spectrometer and its applications | 박영한; 염효영; 윤형근; 민석기; 박용주 |
| 1999-10-21 | 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조방법 | 김은규; 최원철; 민석기 |
| 1998-09-01 | 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화 방법 | 김은규; 박용주; 민석기 |
| 1991-01 | 갈륨비소위에 플라즈마 화학 증착한 텅스텐박막의 특성연구 . | 김용태; 민석기; 홍종성; 박승철; 박용주; 한철원; 이명복; 강태원; 홍치유 |
| 1998-12-05 | 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한전계효과트랜지스터의 성능 개선방법 | 민석기; 황성우; 김은규 |
| 1999-10-21 | 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광및 전류차단구조 및 그 제조 방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
| 1996-05 | 고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적성질에 대한 급속열처리효과 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김태근; 김용; 김무성; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1999-06-16 | 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
| 1998-10-27 | 고출력양자세선어레이 레이저다이오드 구조 제작방법 | 민석기; 김은규; 김태근 |
| 1998-12-24 | 고출력양자세선어레이 레이저다이오드 구조 제작방법 | 민석기; 김은규; 김태근 |
| 1999-06-16 | 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
| 1999-11-12 | 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 손창식; 민석기; 김용; 김은규; 박영균 |
| 1988-12 | 다결정 GaAs 에 대한 전기적 특성 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1997-03 | 다공질실리콘 표면의 기체반응에 대한 전기특성 . | 김은규; 민석기; 유종훈 |
