Browsing byAuthor서상희

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1998-01Hg-annealing behavior of x=0.3 HgCdTe epitaxial layers서상희; 김진상; 송종형; 김제원
1996-12Hg-확산에 의한 HgCdTe PV diode 제작 및 특성송종형; 박만장; 서상희
2009-04Hg1-xCdxTe를 이용한 64×1 선형 적외선 감지 소자 제작김진상; 서상희
2006-01-09HgCdTe 적외선 감지 소자의 표면 보호막의 제조 방법김진상; 서상희; 정용철; 정연식; 안세영; 김영환
2005-10-24HgCdTe광다이오드 제조방법김진상; 안세영; 김영환; 서상희
2004-02High Performance of SWIR HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by ZnSNgoc-Tu Lanh; 안세영; 서상희; 김진상
1996-01Hillock이 없고 전기적 특성이 좋은 (100) HgCdTe/GaAs의 MOVPE 성장서상희; 문성욱; 송종형
1993-01Improvement of electrical properties of LPE-Hg0.8Cd0.2Te using Cd0.94Zn0.06Te buffer layer.서상희; 곽노정; 최인훈
2003-11Improvement of HgCdTe qualities grown by MOVPE using MBE grown CdTe/Si as substrate김진상; 서상희; S. Sivananthan
1998-12In-situ Doped Multilayer MOVPE HgCdTe Growth and Photodiode Fabrication송종형; 정관욱; 김진상; 서상희; 김인재; 김선웅; 박만장; 박승만; 김홍국; 김재묵
1990-01LPE growth of Hg0.80Cd0.20Te.서상희; 최종술; 우병일; 김재묵; 문성욱
1995-05LPE 법에 의한 HgCdTe 이종 다층막의 성장 및 광전압 적외선 감지 소자의 정특성 .서상희; 문성욱
1992-01Material characteristics of CdTe and Cd0.96Zn0.04Te single crystals grown by modified bridgman technique.서상희; 김진상; 김재묵
2001-04Micromachining and fabrication of thin films for MEMS-infrared detectors염상섭; 박흥우; 박윤권; 주병권; 오영제; 이종훈; 정문교; 서상희; 황근창
2001-11MOVPE Growth and Characteristic of HgCdTe for Uncooled SWIR Detector김진상; 서상희; 안세영; 김용식
2003-02MOVPE 법으로 성장한 HgCdTe 박막의 Cd/Te 몰분율에 따른 특성서대원; 김창경; Ngoc-TuLanh; 김진상; 서상희
1998-12n situ Growth of p-HgCdTe/N-HgCdTe/CdTe/GaAs Epilayer and Fabrication of Two Color Infrared Detector박승만; 김흥국; 김재묵; 송종형; 서상희
1996-07Ohmic 층으로서 HgSe/GaAs의 성장 조건 및 HgSe/p-ZnSe/GaAs 구조의 전기적 특성김제원; 최인훈; 김진상; 서상희
1998-01Passivation of HgCdTe by thermal evaporated CdZnTe김제원; 송종형; 최인훈; 김진상; 서상희
2001-11Performance of HgCdTe Photo-Diode Passivated with CdZnTe안세영; 김진상; 서상희; 김용식
2003-11RF 스퍼터링 법으로 HgCdTe 위에 형성된 Silicon Nitride 표면보호막의 특성안세영; 이상훈; 서상희; 김진상; 정용철
1998-10Si micromachining for MEMS-IR sensor application박흥우; 주병권; 박윤권; 박정호; 김철주; 염상섭; 서상희; 오명환
1989-01Slider LPE growth of Hg0.3CdO.7Te.서상희; 김진상; 유한일
1994-01Structural properties of ZnSe on GaAs grown by atomic layer epitaxy.서상희; C. D. Lee; B. K. Kim; J. W. Kim; S. K. Chang
1997-05Structural properties of ZnSe-related layers grown on off-oriented (001) GaAs substrates for blue-green light-emitting devices김진상; 송종형; 김제원; 정수진; 서상희
2001-11Studies on Formation of the Floating Membrane using SOI Wafer and Application to Fabrication of Thermopile Sensor이성준; 주병권; 이윤희; 서상희; 오명환; 김태윤; 김철주
1994-01Surface morphology and growth rate of Hgl-xCdxTe grown by MOVPE on (100)GaAs.서상희; 임성욱; 송종형; 박만장; 김홍국; 김재묵
1992-01The effect of dislocation density of CdTe(CdZnTe) substrated on the dislocation density and distribution of LPE grown Hg0.7Cd0.3Te.서상희; 임성욱; 김재묵; 송원준; 최인훈
1990-01The effect of growth temperature on the surface morphology and composition of LPE growing Hgl-xCdxTe.서상희; 임성욱; 최인훈
1994-01The effect of in doping on the electrical and optical properties of LPE grown Hg0.7Cd0.3Te.서상희; 문성욱; 최종술

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