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Issue DateTitleAuthor(s)
2002-01양자우물 무질서 공정을 이용한 양자우물 적외선 검출기의 반응대역 변화신재철; 최원준; 한일기; 박용주; 김은규; 이정일; 김희재; 최정우; 강광남
2005-12-29양자우물 무질서화 기술을 이용한 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법최원준; 이정일; 신재철; 조운조; 한일기; 박용주; 김은규
2006-07-04양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법최원준; 신재철; 이정일; 송진동
2008-11양자점 레이저 다이오드의 식각 깊이에 따른 접합온도 측정정정화; 이정일; 한일기
2005-07-13양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법최원준; 박용주; 김은규; 한일기; 이정일; 조운조; 이정호
2007-03-09양자점 상하에 비대칭 반도체층을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법송진동; 이정일; 최원준
2003-06양자점 원적외선 수광소자 전망이욱현; 강용훈; 엄준호; 홍성철; 최원준; 이동한; 김문덕; 노삼규; 이정일
1993-01연속 파장 가변시 현상론적인 비선형 이득 포화 효과가 다전극 DBR 레이저의 변조 특성에 미치는 영향 .강광남; 이정일; 한일기; 이석; 최원준; 박노헌; 박홍이
1995-06연속 파장 가변시 현상론적인 비선형 이득 포화 효과가 다전극 DBR 레이저의 잡음 특성에 미치는 영향 .강광남; 이정일; 한일기; 김회종; 우덕하; 최원준; 이석; 김선호; 박홍이
2007-09-17열처리를 이용한 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법유성필; 이정일; 송진동; 최원준
2000-06영구적 홀 버닝을 이용한 광 기억 재료장기완; 김일곤; 김주철; 김창홍; 변종홍; 이정일
2005-08-09원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법송진동; 박용주; 이정일; 한일기; 최원준
1995-01유전체 박막을 이용한 InGaAs/InP 양자우물의 에너지상태 변조 .강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일; 김상국; 조규만
2011-03-07자발 형성 반-양자 구조물의 제조 방법송진동; 임주영; 한석희; 이정일; 최원준
2004-03자발성형 InAs/GaAs 양자점의 구조 및 성장 특성김형석; 서주영; 박찬경; 이상준; 노삼규; 송진동; 박용주; 이정일
2004-04저온 분자선 에피택시법을 이용한 GaMnAs 자성반도체 성장 및 특성 연구박진범; 고동완; 박용주; 오형택; 신춘교; 김영미; 박일우; 변동진; 이정일
1998-12저차원 반도체의 물리학과 응용노삼규; 이정일
1997-12-11전자빔　리소그래피　장치　및　이를　이용한　다층　정렬　방법김회종; 강광남; 이정일; 이명복; 최원준; 이유종; 한일기
2008-12-12좁은 광퍼짐을 갖는 반도체 레이저송진동; 한일기; 이정일; 조운조; 최원준
2006-07투과전자 현미경으로 살펴 본 자발성형 InAs/GaAs 양자점의 구조 및 응력 특성김형석; 서주영; 박찬경; 이상준; 노삼규; 송진동; 박용주; 최원준; 이정일
1993-01파장 가변 다전극 DBR 레이저의 잡음 특성에 관한 연구 .강광남; 최원준; 이석; 김회종; 이정일; 박홍이
1999-07프랑스의 광자공학 (CNRS를 중심으로 )이정일
1995-01화학선속 증착법 (Chemical Beam Epitaxy) 으로 성장한 InGaAsP 시료의 광루미네슨스 특성 .강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일
2009-11화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장한일기; 이정일
1994-12황처리가 Metal/InP 와 Si//3N//4/InP 계면에 미치는 영향 .강광남; 이정일; 한일기; 허준; 임한조; 김충환
2008-09-29후열처리 공정을 통한 금속 나노고리 형성 방법송진동; 임주영; 한석희; 이정일; 최원준
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