Browsing byAuthor이지화

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Issue DateTitleAuthor(s)
-MOCVD growth of AlN, GaN/Si using an N-atom source based on a dielect barrier discharge methodKIM JIN SANG; Kum Dong Wha; 이지화
2003-10-03질소 공급원으로서 질소 원자-활성 종을 사용하는 유기금속 화학증착에 의한 I I I족 금속 질화물 박막금동화; 김주성; 김진상; 이지화
2002-07-12질소 공급원으로서 질소 원자-활성 종을 사용하는 유기금속 화학증착에 의한 I I I족 금속 질화물 박막금동화; 김주성; 김진상; 이지화

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