Browsing byAuthor조훈영

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Issue DateTitleAuthor(s)
1988-05Abnormal behavior of midgap electron trap in HB-GaAs during thermal annealing.김은규; 민석기; 조훈영
1987-12Computer simulation analysis for the overlapped DLTS signal of midgap electron traps in HB-GaAs.김은규; 조훈영; 민석기
1988-03Deep trap studies in HB-GaAs using DLTS and optical DLTS.김은규; 조훈영; 민석기; S. C. Park; C. W. Han
1990-03Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI).김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1988-12EL2 준위에 대한 Photocapacitance quenching 과 열회복 현상 : EL2(III).김은규; 조훈영; 민석기
1989-10Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 .김은규; 조훈영; 김성일; 민석기
1992-06Excimer laser illumination 에 따른 실리콘반도체 특성변화 .김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수
-Experimental study of the effect of CBD-CdS process on the formation of CdS/CIGS junction in CIGS photovoltaicsSeo Han-kyu; Kwan-Hee Yoon; Ok Eun a; Kim Jin-soo; KIM, WON MOK; JONG-KEUK, PARK; Baik, Young Joon; 성태연; 이동화; 조훈영; Jeung-hyun Jeong
1993-01GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙
1988-04HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 .김은규; 조훈영; 민석기
1987-12HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II).김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기
1988-02Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철
1992-08Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수
1994-02MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 .김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기
1989-10MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1991-02MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 .김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기
1990-12Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS).김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원
1991-06Role of hydrogen atom on metastable defects in GaAs.김은규; 조훈영; 민석기; C. Lee
1987-12RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I).김은규; 조훈영; 한철원; 김춘근; 민석기
1991-04RTA 에 의한 Si 내의 thermal donors 와 깊은 준위의 거동 .김은규; 조훈영; 김춘근; 민석기; 김현수; 심기대; 박만장
1990-02Si 이온주입된 반절연성 GaAs:Cr 의 열처리에 따른 깊은 준위연구 .김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원
1991-08Si 과 Be 이온이 공동주입된 GaAs 에 대한 전기 및 광학적 특성연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 이호섭; 강태원; 홍치유
1988-12Twinned GaAs 에 대한 전기적 특성연구 .김은규; 조훈영; 민석기
1989-02VPE 법으로 성장한 In//xGa//1//-//xAs(x<0.035)/GaAs 에피층내의 깊은 준위 전자덫 연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 윤주훈; 김현수; 조성호
1988-12다결정 GaAs 에 대한 전기적 특성 연구 .김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철
1989-02무전위 GaAs:In 의 급속열처리에 따른 깊은 준위 전자덫 연구 .김은규; 조훈영; 박일우; 민석기; 심광보; 한철원; 조성호
1991-04수소화에 따른 N 형 GaAs 의 전기적 특성 변화 .김은규; 조훈영; 민석기; 박승철; 김현수
1988-07수소화에 의한 GaAs 내의 deep level 생성 .김은규; 조훈영; 민석기; 김재붕; 장진
1991-08열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 .김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호
1990-02열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 .김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호

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