| 2012-02-17 | 2형 양자우물을 포함하는 p형 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 송진동; 신상훈; 장준연; 구현철; 한석희; 김형준 |
| 2013-11-19 | 2형 양자우물을 포함하는 p형 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 송진동; 신상훈; 장준연; 구현철; 한석희; 김형준 |
| 2019-12-23 | 3족-5족 화합물 반도체 장치 | 주현수; 장준연; 이교섭; 송진동 |
| 2021-08-31 | 3족-5족 화합물 반도체 장치 | 주현수; 장준연; 이교섭; 송진동 |
| 2006-03 | AlAs 습식산화와 열처리로 인한 InGaAs 양자점 레이저 구조의 intermixing효과에 관한 공간 분해 광학적 특성 | 황준석; 권봉준; 곽호상; 최재원; 조용훈; 조남기; 전헌수; 조운조; 송진동; 최원준; 이정일 |
| 2003-10 | ALE 방법에 의해 성장된 InAs/GaAs 양자점의 전자 구속 효과 및 광학적 특성 | 김지훈; 박용주; 박영민; 송진동; 신재철; 이정일; 김태환 |
| 2015-09 | Diamagnetic Shift of a InGaP-AlInGaP Semiconductor Single Quantum Well under Pulsed-magnetic Fields | 최병구; 김영민; 송진동 |
| 2015-01 | Effect of Growth Temperature on the Luminescence Properties of InP/GaP Short-Period Superlattice Structures | 변혜룡; 류미이; 송진동; 이창렬 |
| 2009-07 | GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 | 김광웅; 조남기; 송진동; 이정일; 박정호; 이유종; 최원준 |
| 2010-05 | GaAs 기판 위에 성장한 In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As 다중양자우물의 광학적 특성에 대한 In0.5Al0.5As 버퍼층 성장온도의 영향 | 김희연; 오현지; 안상우; 류미이; 임주영; 신상훈; 김수연; 송진동 |
| 2008-11 | GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser에서 deep mesa 구조에 의한 문턱전류 감소 | 한일기; 송진동; 이정일 |
| 2020-07-02 | III-인화계 기판상에 III-비화계 에피층을 성장하는 방법 | 송진동; 강준현; 양현덕; 한일기 |
| 2009-10-07 | In(As)Sb 반도체의 격자 부정합 기판상 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자 | 송진동; 최원준; 장준연; 임주영 |
| 2010-03-30 | In(As)Sb 반도체의 격자 부정합 기판상 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자 | 송진동; 최원준; 장준연; 임주영 |
| 2003-08 | InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성에 미치는 InxGa1-xAs 비대칭 변형 완화층의 효과 | 임재구; 최은하; 박용주; 박영민; 송진동; 최원준; 한일기; 조운조; 이정일 |
| 2012-11 | InAs/GaAs 양자점의 발광특성에 대한 InGaAs 캡층의 영향 | 류미이; 권세라; 송진동 |
| 2007-09 | InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교 | 정경욱; 김광웅; 유성필; 조남기; 박성준; 송진동; 최원준; 이정일; 양해석 |
| 2011-12 | InGaAs/InAlAs 양자우물구조의 발광특성에 대한 In_(0.4)Al_(0.6)As 버퍼층 성장온도의 영향 | 김희연; 류미이; 임주영; 신상훈; 김수연; 송진동 |
| 2012-08-07 | InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법 | 송진동; 주성중; 홍진기; 신상훈; 이긍원; 김태엽; 임주영; 이진서; 신경호 |
| 2011-06-08 | InSb 기반 스위칭 소자 및 그의 형성 방법 | 송진동; 주성중; 홍진기; 신상훈; 이긍원; 김태엽; 임주영; 이진서; 신경호 |
| 2013-08-08 | LED를 이용한 해수내 광통신 시스템 | 송진동; 이정일; 최원준; 한일기 |
| 2014-11 | Luminescence Properties of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Modified Molecular Beam Epitaxy | 권세라; 류미이; 송진동 |
| 2006-03 | MBE로 성장된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향 | 임주영; 송진동; 최원준; 이정일; 양해석; Cho, Woon Jo |
| 2012-05-22 | n-과 p-타입의 이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터 | 김형준; 송진동; 한석희; 김경호; 구현철 |
| 2011-11-10 | n-과 p-타입의 이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터 | 김형준; 송진동; 한석희; 김경호; 구현철 |
| 2024-05-31 | nBn구조를 이용한 중적외선 광검출소자 및 이의 제조방법 | 강준현; 한재훈; 박성렬; 송진동; 한일기 |
| 2015-05 | Optical Properties of InP/InGaP Quantum Structures Grown by a Migration Enhanced Epitaxy with Different Growth Cycles | Jae Won Oh; Il-Wook Cho; 류미이; 송진동 |
| 2016-09-22 | PN 접합 소자 및 이를 이용한 전자장치 | 송진동; 양승현; 박상준; 안도열 |
| 2023-01 | Post-Annealing Effects on Optical Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy | 서유량; 강태인; 김종수; 송진동; 이상준; 김희대 |
| 2015-04 | Preparing for the Post-Silicon Semiconductor Era | 김진상; 구현철; 이전국; 문성욱; 송진동; 송용원; 장준연 |
