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-A new ferroelectric gate structure for low power operation of non volatile memory devicesKim Yong Tae; 심선일; Kim Seong Il; 최훈상; 최인훈; Makoto Ishida
-Absorption properties of the epitaxial Alx-Ga1-xN grown by plasma induced molecular beam epitaxyJewon Kim; SON CHANG-SIK; 심선일; 최인훈; PARK YOUNG KYUN; Kim Yong Tae; O. Ambacher; M. Stutzmann
-Electrical characteristics of Ir/atomic layer deposited ZrO ₂ /Si field effect transistors심현상; 심선일; Kim Yong Tae
2005-03-11강유전체 메모리 셀의 연결방법 및 그 연결방법에 의한강유전체 메모리김용태; 심선일; 김춘근; 김성일
2002-05-21비파괴　판독형　비휘발성　강유전체　메모리의　구동　회로김용태; 심선일; 김영환; 김성일; 김춘근
2002-12-05비파괴　판독형　비휘발성　강유전체　메모리의　구동　회로김용태; 심선일; 김영환; 김성일; 김춘근
2006-12-19식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터의 제조방법김용태; 김성일; 김영환; 심선일; 김춘근
2009-05-15식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터의 제조방법김용태; 김성일; 김영환; 심선일; 김춘근
2006-01-09식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체 게이트 트랜지스터의 제조방법김용태; 김성일; 김영환; 심선일; 김춘근
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