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Issue Date | Title | Author(s) |
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- | Resistive Switching Behavior in Ti/MnO2/Pt Structure for Nonvolatile Memory Devices | Lee, Jeon Kook; 양민규; Choi Sun Young |
2012-05-17 | 고효율 저항 변화 기억 소자용 다층 금속 산화물 박막 구조물 및 그 제조 방법 | 양민규; 이전국 |
2009-08-07 | 높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 | 이전국; 박동희; 양민규 |
2011-01-12 | 높은 소자 수율을 나타내는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물 제조 방법 | 이전국; 박동희; 양민규 |
2010-06-08 | 셋 전압 윈도우가 좁은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 및 그 제조 방법 | 이전국; 박동희; 양민규 |
2007-05-28 | 저항변화 기억소자용 박막 구조물 및 그 제조 방법 | 김달영; 박재완; 양민규; 이전국 |
2021-09-06 | 저항성 메모리 장치 및 그것의 제조 방법 | 주현수; 이교섭; 한재훈; 양민규 |