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2017-1210-nm Fin-Width InGaSb p-Channel Self-Aligned FinFETs Using Antimonide-Compatible Digital EtchLu, W.; Roh, I. P.; Geum, D. -M.; del Alamo, J. A.; Song, J. D.; Kong, L.; Kim, S. -H.
2005-10Far-infrared/THz photodetector with self-assembled Quantum dotsNam, H.; Song, J.; Choi, W.; Lee, J.; Yang, H.; Zhang, B.; Lu, W.
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