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2017-1210-nm Fin-Width InGaSb p-Channel Self-Aligned FinFETs Using Antimonide-Compatible Digital EtchLu, W.; Roh, I. P.; Geum, D. -M.; del Alamo, J. A.; Song, J. D.; Kong, L.; Kim, S. -H.
2016-05-26Memory characteristics of capacitors with poly-GaAs floating gatesRoh, I. P.; Kang, N. S.; Shin, S. H.; Oh, Y. T.; Kim, K. B.; Song, J. D.; Song, Y. H.
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