최훈상 조금석 Kim Yong Tae 이관 이종한 Kim Seong Il 최인훈 2024-01-13T13:34:17Z 2024-01-13T13:34:17Z 2021-09-29 2001-07 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/107496 SBN Pt/SrBi2Nb2O9/Si 게이트 구조의 전기적 특성에 대한 Bi 함량의 효과 Conference 2 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Device, pp.229 - 234 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Device 229 234 KO