이희택 Choi Won Jun Woo Deok Ha Kim Sun Ho KANG KWANG NHAM 조재원 2024-01-13T18:03:21Z 2024-01-13T18:03:21Z 2021-09-29 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/109828 English 양자우물무질서 Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure. InGaAs/InGaAsP 단일양자우물구조의 impurity free vacancy intermixing 에서 유전체 - 반도체 덮개층 조합 효과 = Conference 2 제 6 회 광전자공학 학술회의 논문집, pp.111 - 112 제 6 회 광전자공학 학술회의 논문집 111 112 KO