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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Braun,&#x20;Paul&#x20;V.</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">King,&#x20;William&#x20;P.</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Miljkovic,&#x20;Nenad</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="accessioned">2024-01-19T18:33:50Z</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">Heat&#x20;dissipation&#x20;is&#x20;a&#x20;key&#x20;obstacle&#x20;to&#x20;achieving&#x20;reliable,&#x20;high-power-density&#x20;electronic&#x20;systems.&#x20;Thermal&#x20;devices&#x20;capable&#x20;of&#x20;actively&#x20;managing&#x20;heat&#x20;transfer&#x20;are&#x20;desired&#x20;to&#x20;enable&#x20;heat&#x20;dissipation&#x20;optimization&#x20;and&#x20;enhanced&#x20;reliability&#x20;through&#x20;device&#x20;isothermalization.&#x20;Here,&#x20;we&#x20;develop&#x20;a&#x20;millimeter-scale&#x20;liquid&#x20;metal&#x20;droplet&#x20;thermal&#x20;switch&#x20;capable&#x20;of&#x20;controlling&#x20;heat&#x20;transfer&#x20;spatially&#x20;and&#x20;temporally.&#x20;We&#x20;demonstrate&#x20;the&#x20;thermal&#x20;switch&#x20;by&#x20;integrating&#x20;it&#x20;with&#x20;gallium&#x20;nitride&#x20;(GaN)&#x20;devices&#x20;mounted&#x20;on&#x20;a&#x20;printed&#x20;circuit&#x20;board&#x20;(PCB)&#x20;and&#x20;measure&#x20;heat&#x20;transfer&#x20;and&#x20;temperature&#x20;of&#x20;each&#x20;device&#x20;for&#x20;a&#x20;variety&#x20;of&#x20;switch&#x20;positions&#x20;and&#x20;heat&#x20;dissipation&#x20;levels.&#x20;When&#x20;integrated&#x20;with&#x20;a&#x20;single&#x20;GaN&#x20;device&#x20;(2.6&#x20;mm&#x20;x&#x20;4.6&#x20;mm&#x20;face&#x20;area)&#x20;dissipating&#x20;1.8&#x20;W,&#x20;the&#x20;thermal&#x20;switch&#x20;shows&#x20;the&#x20;ability&#x20;to&#x20;actively&#x20;control&#x20;heat&#x20;transfer&#x20;by&#x20;conducting&#x20;1.3&#x20;W&#x20;in&#x20;the&#x20;ON&#x20;mode&#x20;with&#x20;the&#x20;GaN&#x20;device&#x20;at&#x20;51&#x20;degrees&#x20;C&#x20;+&#x2F;-&#x20;1&#x20;degrees&#x20;C,&#x20;and&#x20;0.5&#x20;W&#x20;in&#x20;the&#x20;OFF&#x20;mode&#x20;with&#x20;the&#x20;GaN&#x20;device&#x20;at&#x20;95&#x20;degrees&#x20;C&#x20;+&#x2F;-&#x20;1&#x20;degrees&#x20;C.&#x20;To&#x20;elucidate&#x20;the&#x20;heat&#x20;transfer&#x20;physics,&#x20;we&#x20;developed&#x20;a&#x20;1-D&#x20;system&#x20;thermal&#x20;resistance&#x20;model&#x20;in&#x20;conjunction&#x20;with&#x20;an&#x20;independent&#x20;3-D&#x20;finite-element&#x20;method&#x20;(FEM)&#x20;simulation,&#x20;showing&#x20;excellent&#x20;agreement&#x20;with&#x20;our&#x20;experimental&#x20;data.&#x20;Finally,&#x20;we&#x20;demonstrated&#x20;that&#x20;when&#x20;the&#x20;switch&#x20;is&#x20;integrated&#x20;with&#x20;two&#x20;GaN&#x20;devices,&#x20;the&#x20;switch&#x20;can&#x20;balance&#x20;the&#x20;device&#x20;heat&#x20;transfer&#x20;rate&#x20;and&#x20;enhance&#x20;junction&#x20;temperature&#x20;uniformity&#x20;and&#x20;system&#x20;reliability&#x20;by&#x20;lowering&#x20;the&#x20;device-to-device&#x20;temperature&#x20;difference&#x20;from&#x20;&gt;10&#x20;degrees&#x20;C&#x20;(no&#x20;switch)&#x20;to&#x20;0&#x20;degrees&#x20;C.</dcvalue>
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<dcvalue element="identifier" qualifier="bibliographicCitation">IEEE&#x20;TRANSACTIONS&#x20;ON&#x20;COMPONENTS&#x20;PACKAGING&#x20;AND&#x20;MANUFACTURING&#x20;TECHNOLOGY,&#x20;v.9,&#x20;no.12,&#x20;pp.2341&#x20;-&#x20;2351</dcvalue>
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