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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Lee,&#x20;Takhee</dcvalue>
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<dcvalue element="date" qualifier="created">2021-09-05</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="issued">2016-06</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">In&#x20;this&#x20;study,&#x20;we&#x20;fabricated&#x20;nonvolatile&#x20;organic&#x20;memory&#x20;devices&#x20;using&#x20;a&#x20;mixture&#x20;of&#x20;polyimide&#x20;(PI)&#x20;and&#x20;6-phenyl-C61&#x20;butyric&#x20;acid&#x20;methyl&#x20;ester&#x20;(PCBM)&#x20;(denoted&#x20;as&#x20;PI:&#x20;PCBM)&#x20;as&#x20;an&#x20;active&#x20;memory&#x20;material&#x20;with&#x20;Al&#x2F;PI:&#x20;PCBM&#x2F;Al&#x20;structure.&#x20;Upon&#x20;increasing&#x20;the&#x20;temperature&#x20;from&#x20;room&#x20;temperature&#x20;to&#x20;470&#x20;K,&#x20;we&#x20;demonstrated&#x20;the&#x20;good&#x20;nonvolatile&#x20;memory&#x20;properties&#x20;of&#x20;our&#x20;devices&#x20;in&#x20;terms&#x20;of&#x20;the&#x20;distribution&#x20;of&#x20;ON&#x20;and&#x20;OFF&#x20;state&#x20;currents,&#x20;the&#x20;threshold&#x20;voltage&#x20;from&#x20;OFF&#x20;state&#x20;to&#x20;ON&#x20;state&#x20;transition,&#x20;the&#x20;retention,&#x20;and&#x20;the&#x20;endurance.&#x20;Our&#x20;organic&#x20;memory&#x20;devices&#x20;exhibited&#x20;an&#x20;excellent&#x20;ON&#x2F;OFF&#x20;ratio&#x20;(I-ON&#x2F;I-OFF&#x20;&gt;&#x20;10(3))&#x20;through&#x20;more&#x20;than&#x20;200&#x20;ON&#x2F;OFF&#x20;switching&#x20;cycles&#x20;and&#x20;maintained&#x20;ON&#x2F;OFF&#x20;states&#x20;for&#x20;longer&#x20;than&#x20;10(4)&#x20;s&#x20;without&#x20;showing&#x20;any&#x20;serious&#x20;degradation&#x20;under&#x20;measurement&#x20;temperatures&#x20;up&#x20;to&#x20;470&#x20;K.&#x20;We&#x20;also&#x20;confirmed&#x20;the&#x20;structural&#x20;robustness&#x20;under&#x20;thermal&#x20;stress&#x20;through&#x20;transmission&#x20;electron&#x20;microscopy&#x20;cross-sectional&#x20;images&#x20;of&#x20;the&#x20;active&#x20;layer&#x20;after&#x20;a&#x20;retention&#x20;test&#x20;at&#x20;470&#x20;K&#x20;for&#x20;10(4)&#x20;s.&#x20;This&#x20;study&#x20;demonstrates&#x20;that&#x20;the&#x20;operation&#x20;of&#x20;PI:&#x20;PCBM&#x20;organic&#x20;memory&#x20;devices&#x20;could&#x20;be&#x20;controlled&#x20;at&#x20;high&#x20;temperatures&#x20;and&#x20;that&#x20;the&#x20;structure&#x20;of&#x20;our&#x20;memory&#x20;devices&#x20;was&#x20;maintained&#x20;during&#x20;thermal&#x20;stress.&#x20;These&#x20;results&#x20;may&#x20;enable&#x20;the&#x20;use&#x20;of&#x20;nonvolatile&#x20;organic&#x20;memory&#x20;devices&#x20;in&#x20;high&#x20;temperature&#x20;environments.&#x20;(C)&#x20;2016&#x20;Elsevier&#x20;B.V.&#x20;All&#x20;rights&#x20;reserved.</dcvalue>
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<dcvalue element="identifier" qualifier="bibliographicCitation">ORGANIC&#x20;ELECTRONICS,&#x20;v.33,&#x20;pp.48&#x20;-&#x20;54</dcvalue>
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