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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;Dai-Hong</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;Seong&#x20;Keun</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Choi,&#x20;Ji-Won</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Yoon,&#x20;Seok-Jin</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Chang,&#x20;Hye&#x20;Jung</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kang,&#x20;Chong-Yun</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kwon,&#x20;Beomjin</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Bark,&#x20;Chung-Wung</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Hong,&#x20;Seong-Hyeon</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;Jin-Sang</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Baek,&#x20;Seung-Hyub</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="accessioned">2024-01-20T07:02:28Z</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="available">2024-01-20T07:02:28Z</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="created">2021-09-04</dcvalue>
<dcvalue element="date" qualifier="issued">2015-05-27</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">Manipulation&#x20;of&#x20;electrons&#x20;in&#x20;a&#x20;solid&#x20;through&#x20;transmitting,&#x20;storing,&#x20;and&#x20;switching&#x20;is&#x20;the&#x20;fundamental&#x20;basis&#x20;for&#x20;the&#x20;microelectronic&#x20;devices.&#x20;Recently,&#x20;the&#x20;electroresistance&#x20;effect&#x20;in&#x20;the&#x20;ferroelectric&#x20;capacitors&#x20;has&#x20;provided&#x20;a&#x20;novel&#x20;way&#x20;to&#x20;modulate&#x20;the&#x20;electron&#x20;transport&#x20;by&#x20;polarization&#x20;reversal.&#x20;Here,&#x20;we&#x20;demonstrate&#x20;a&#x20;giant&#x20;electroresistive&#x20;ferroelectric&#x20;diode&#x20;integrating&#x20;a&#x20;ferroelectric&#x20;capacitor&#x20;into&#x20;two-dimensional&#x20;electron&#x20;gas&#x20;(2DEG)&#x20;at&#x20;oxide&#x20;interface.&#x20;As&#x20;a&#x20;model&#x20;system,&#x20;we&#x20;fabricate&#x20;an&#x20;epitaxial&#x20;Au&#x2F;Pb(Zr0.2Ti0.8)O-3&#x2F;LaAlO3&#x2F;SrTiO3&#x20;heterostructure,&#x20;where&#x20;2DEG&#x20;is&#x20;formed&#x20;at&#x20;LaAlO3&#x2F;SrTiO3&#x20;interface.&#x20;This&#x20;device&#x20;functions&#x20;as&#x20;a&#x20;two-terminal,&#x20;non-volatile&#x20;memory&#x20;of&#x20;1&#x20;diode-1&#x20;resistor&#x20;with&#x20;a&#x20;large&#x20;I+&#x2F;I-&#x20;ratio&#x20;(&gt;10(8)&#x20;at&#x20;+&#x2F;-&#x20;6&#x20;V)&#x20;and&#x20;I-on&#x2F;I-off&#x20;ratio&#x20;(&gt;10(7)).&#x20;This&#x20;is&#x20;attributed&#x20;to&#x20;not&#x20;only&#x20;Schottky&#x20;barrier&#x20;modulation&#x20;at&#x20;metal&#x2F;ferroelectric&#x20;interface&#x20;by&#x20;polarization&#x20;reversal&#x20;but&#x20;also&#x20;the&#x20;field-effect&#x20;metal-insulator&#x20;transition&#x20;of&#x20;2DEG.&#x20;Moreover,&#x20;using&#x20;this&#x20;heterostructure,&#x20;we&#x20;can&#x20;demonstrate&#x20;a&#x20;memristive&#x20;behavior&#x20;for&#x20;an&#x20;artificial&#x20;synapse&#x20;memory,&#x20;where&#x20;the&#x20;resistance&#x20;can&#x20;be&#x20;continuously&#x20;tuned&#x20;by&#x20;partial&#x20;polarization&#x20;switching,&#x20;and&#x20;the&#x20;electrons&#x20;are&#x20;only&#x20;unidirectionally&#x20;transmitted.&#x20;Beyond&#x20;non-volatile&#x20;memory&#x20;and&#x20;logic&#x20;devices,&#x20;our&#x20;results&#x20;will&#x20;provide&#x20;new&#x20;opportunities&#x20;to&#x20;emerging&#x20;electronic&#x20;devices&#x20;such&#x20;as&#x20;multifunctional&#x20;nanoelectronics&#x20;and&#x20;neuromorphic&#x20;electronics.</dcvalue>
<dcvalue element="language" qualifier="none">English</dcvalue>
<dcvalue element="publisher" qualifier="none">NATURE&#x20;PUBLISHING&#x20;GROUP</dcvalue>
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<dcvalue element="title" qualifier="none">Giant&#x20;Electroresistive&#x20;Ferroelectric&#x20;Diode&#x20;on&#x20;2DEG</dcvalue>
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<dcvalue element="identifier" qualifier="bibliographicCitation">SCIENTIFIC&#x20;REPORTS,&#x20;v.5</dcvalue>
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