박영일 김동환 서경원 정증현 김홍곤 2024-01-20T13:00:16Z 2024-01-20T13:00:16Z 2021-09-06 2013-03 1226-7945 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/128282 Mo이 증착된 유리기판 위에 CuInSe2 박막을 전착하고 후속열처리 과정을 거쳐 광활성의 박막을 만들었으며, 전착용액의 전구체 조성, 첨가제 농도 등의 전착변수와 후속열처리 온도를 조절하여 박막의 구조, 형상, 원소조성을 조절하였다. Ag/AgCl 기준전극 대비 ？0.5 V의 전압을 걸어 치밀하고 균일한 CuInSe2 박막을 전착하고, 섭씨 500℃ 이상의 온도로 셀렌화 열처리하여 결정립이 잘 발달된 CuInSe2 광활성층을 제조할 수 있었다. KCN 용액으로 표면을 식각하여 전도성 이차상을 제거함으로써 Cu 조성이 낮고, 광활성이 높은 CuInSe2 광활성층을 얻었다. 전착, 열처리, KCN 식각 등 각 단계에서의 CuInSe2 박막의 특성을 SEM, XRD, Raman, AES, EDS 분석으로 해석하고, 최종적으로 태양전지 소자를 구현하는 조건을 제시하였다. Korean 한국전기전자재료학회 전착법을 이용한 CuInSe2 박막태양전지 광활성층의 조성 조절 Composition Control of a Light Absorbing Layer of CuInSe2 Thin Film Solar Cells Prepared by Electrodeposition Article 10.4313/JKEM.2013.26.3.232 2 전기전자재료학회논문지, v.26, no.3, pp.232 - 239 전기전자재료학회논문지 26 3 232 239 kci ART001750608 CIS thin film solar cell CuInSe2 Copper indium diselenide Electrodeposition Post-annealing Selenization