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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;Seong&#x20;Il</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Park,&#x20;Chan</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">A&#x20;bismuth&#x20;telluride&#x20;(BT)&#x2F;indium&#x20;selenide&#x20;(IS)&#x20;multilayer&#x20;film&#x20;was&#x20;deposited&#x20;at&#x20;room&#x20;temperature&#x20;by&#x20;rf&#x20;magnetron&#x20;sputtering&#x20;on&#x20;a&#x20;sapphire&#x20;substrate&#x20;in&#x20;order&#x20;to&#x20;investigate&#x20;how&#x20;the&#x20;multilayered&#x20;structure&#x20;affects&#x20;the&#x20;microstructure&#x20;and&#x20;thermoelectric&#x20;properties.&#x20;The&#x20;effect&#x20;of&#x20;annealing&#x20;at&#x20;different&#x20;temperatures&#x20;was&#x20;also&#x20;studied.&#x20;The&#x20;results&#x20;were&#x20;compared&#x20;with&#x20;those&#x20;from&#x20;a&#x20;BT&#x20;film&#x20;with&#x20;the&#x20;same&#x20;thickness.&#x20;A&#x20;TEM&#x20;study&#x20;showed&#x20;that&#x20;the&#x20;interface&#x20;between&#x20;the&#x20;BT&#x20;and&#x20;IS&#x20;layers&#x20;became&#x20;vague&#x20;as&#x20;the&#x20;annealing&#x20;temperature&#x20;increased,&#x20;and&#x20;the&#x20;BT&#x20;layer&#x20;crystallized&#x20;while&#x20;the&#x20;IS&#x20;layer&#x20;did&#x20;not.&#x20;The&#x20;presence&#x20;of&#x20;thin&#x20;IS&#x20;layers&#x20;can&#x20;help&#x20;to&#x20;limit&#x20;the&#x20;evaporation&#x20;of&#x20;Te&#x20;from&#x20;the&#x20;BT&#x2F;IS&#x20;multilayer&#x20;film,&#x20;thus&#x20;increasing&#x20;the&#x20;amount&#x20;of&#x20;Bi2Te3&#x20;phase&#x20;in&#x20;the&#x20;multilayer&#x20;film&#x20;as&#x20;compared&#x20;with&#x20;that&#x20;of&#x20;the&#x20;BT&#x20;film.&#x20;An&#x20;abrupt&#x20;increase&#x20;in&#x20;the&#x20;Seebeck&#x20;coefficient&#x20;of&#x20;the&#x20;multilayer&#x20;film&#x20;was&#x20;observed&#x20;when&#x20;annealed&#x20;at&#x20;300&#x20;degrees&#x20;C,&#x20;and&#x20;the&#x20;resistivity&#x20;of&#x20;the&#x20;annealed&#x20;multilayer&#x20;film&#x20;was&#x20;high&#x20;compared&#x20;to&#x20;that&#x20;of&#x20;the&#x20;BT&#x20;film.&#x20;This&#x20;result&#x20;can&#x20;also&#x20;be&#x20;explained&#x20;by&#x20;the&#x20;proposed&#x20;role&#x20;of&#x20;the&#x20;IS&#x20;layer,&#x20;which&#x20;limits&#x20;the&#x20;evaporation&#x20;of&#x20;Te&#x20;at&#x20;high&#x20;temperature.&#x20;The&#x20;highest&#x20;power&#x20;factor&#x20;of&#x20;similar&#x20;to&#x20;3.9&#x20;x&#x20;10(-6)&#x20;W&#x2F;K-2&#x20;cm&#x20;was&#x20;obtained&#x20;at&#x20;room&#x20;temperature&#x20;from&#x20;the&#x20;multilayer&#x20;film&#x20;annealed&#x20;at&#x20;300&#x20;degrees&#x20;C.</dcvalue>
<dcvalue element="language" qualifier="none">English</dcvalue>
<dcvalue element="publisher" qualifier="none">AMER&#x20;SCIENTIFIC&#x20;PUBLISHERS</dcvalue>
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<dcvalue element="title" qualifier="none">Growth&#x20;and&#x20;Thermoelectric&#x20;Properties&#x20;of&#x20;Multilayer&#x20;Thin&#x20;Film&#x20;of&#x20;Bismuth&#x20;Telluride&#x20;and&#x20;Indium&#x20;Selenide&#x20;via&#x20;RF&#x20;Magnetron&#x20;Sputtering</dcvalue>
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<dcvalue element="identifier" qualifier="bibliographicCitation">JOURNAL&#x20;OF&#x20;NANOSCIENCE&#x20;AND&#x20;NANOTECHNOLOGY,&#x20;v.12,&#x20;no.4,&#x20;pp.3629&#x20;-&#x20;3632</dcvalue>
<dcvalue element="citation" qualifier="title">JOURNAL&#x20;OF&#x20;NANOSCIENCE&#x20;AND&#x20;NANOTECHNOLOGY</dcvalue>
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