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<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Kim,&#x20;Jung&#x20;Sub</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Choi,&#x20;Wonchang</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Byun,&#x20;Dongjin</dcvalue>
<dcvalue element="contributor" qualifier="author">Lee,&#x20;Joong&#x20;Kee</dcvalue>
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<dcvalue element="description" qualifier="abstract">P-doped&#x20;silicon&#x20;nanowires&#x20;(SiNWs)&#x20;were&#x20;directly&#x20;grown&#x20;from&#x20;a&#x20;silane,&#x20;hydrogen&#x20;and&#x20;phosphine&#x20;gas&#x20;mixture&#x20;on&#x20;a&#x20;stainless&#x20;steel&#x20;(316)&#x20;substrate&#x20;by&#x20;the&#x20;radio&#x20;frequency&#x20;Plasma&#x20;Enhanced&#x20;Chemical&#x20;Vapor&#x20;Deposition&#x20;(rf&#x20;PECVD)&#x20;system.&#x20;These&#x20;nanowires&#x20;including&#x20;substates&#x20;were&#x20;directly&#x20;used&#x20;as&#x20;the&#x20;anode&#x20;electrodes&#x20;of&#x20;lithium&#x20;secondary&#x20;batteries&#x20;without&#x20;further&#x20;treatment.&#x20;The&#x20;surface&#x20;morphologies&#x20;of&#x20;P-doped&#x20;SiNWs&#x20;were&#x20;observed&#x20;by&#x20;Scanning&#x20;Electron&#x20;Microscopy&#x20;(SEM)&#x20;and&#x20;the&#x20;phosphorus&#x20;components&#x20;on&#x20;the&#x20;surface&#x20;were&#x20;also&#x20;detected&#x20;by&#x20;X-ray&#x20;Photoelectron&#x20;Spectroscopy&#x20;(XPS).&#x20;Their&#x20;electrochemical&#x20;characteristics&#x20;were&#x20;studied&#x20;using&#x20;a&#x20;galvanostatic&#x20;charge-discharge&#x20;tester.&#x20;The&#x20;discharge&#x20;capacity&#x20;of&#x20;the&#x20;P-doped&#x20;SiNWs&#x20;exhibit&#x20;above&#x20;1933&#x20;mAh&#x20;g(-1)&#x20;after&#x20;30&#x20;cycles,&#x20;as&#x20;it&#x20;cycled&#x20;between&#x20;0&#x20;and&#x20;2.0&#x20;V&#x20;at&#x20;the&#x20;current&#x20;rate&#x20;of&#x20;2&#x20;C.&#x20;The&#x20;initial&#x20;discharge&#x20;capacities&#x20;of&#x20;all&#x20;of&#x20;the&#x20;P-doped&#x20;SiNWs&#x20;were&#x20;higher&#x20;than&#x20;those&#x20;of&#x20;the&#x20;pristine&#x20;ones&#x20;under&#x20;various&#x20;rate&#x20;capabilities&#x20;of&#x20;0.1&#x20;C,&#x20;0.5&#x20;C&#x20;and&#x20;2&#x20;C.&#x20;The&#x20;charge&#x20;transfer&#x20;resistance&#x20;was&#x20;significantly&#x20;reduced&#x20;by&#x20;the&#x20;existence&#x20;of&#x20;phosphorus&#x20;on&#x20;the&#x20;surface&#x20;of&#x20;SiNW&#x20;electrodes&#x20;at&#x20;the&#x20;impedance&#x20;spectra.&#x20;The&#x20;presence&#x20;of&#x20;the&#x20;phosphorus&#x20;component&#x20;in&#x20;the&#x20;SiNWs&#x20;significantly&#x20;improved&#x20;the&#x20;electrochemical&#x20;performance&#x20;due&#x20;to&#x20;reduced&#x20;interfacial&#x20;resistance.&#x20;(C)&#x20;2012&#x20;Elsevier&#x20;B.V.&#x20;All&#x20;rights&#x20;reserved.</dcvalue>
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<dcvalue element="title" qualifier="none">Electrochemical&#x20;characteristics&#x20;of&#x20;phosphorus&#x20;doped&#x20;silicon&#x20;for&#x20;the&#x20;anode&#x20;material&#x20;of&#x20;lithium&#x20;secondary&#x20;batteries</dcvalue>
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<dcvalue element="citation" qualifier="title">SOLID&#x20;STATE&#x20;IONICS</dcvalue>
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