유동윤 이상렬 정유진 김도형 주병권 2024-01-20T16:32:48Z 2024-01-20T16:32:48Z 2021-09-06 2011-08 1226-7945 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/130106 본 논문에서는 비정질 하프늄-인듐-아연 산화물 박막 트랜지스터(HIZO - TFT)에서 스퍼터링 파워에 따른 전기적 특성의 변화를 체계적으로 조사하였다. HIZO채널층은 실온에서 무선 주파수(RF) 마그네트론 스퍼터링 방법으로 다양한 파워에 따라 증착되었다. 이차이온질량분석법(TOF-SIMS)은 IZO박막에서 하프늄 원자의 도핑를 확인하기 위해 수행되었다. 스퍼터링 파워가 증가함에 따라 전계 효과 이동성(μFE)은 증가하였고 문턱 전압(V_(th)) 은 음의 방향으로 이동하였다. 그 이유는 ？높은 스퍼터링 파워에 의해 HIZO층에 결합되어 있는 산소원자의 결합을 끊어 산소공공이 만들어졌기 때문에 생성된 산소공공이 전류 흐름에 기여한 것이다. Korean 한국전기전자재료학회 비정질 하프늄인듐징크옥사이드 산화물 반도체의 공정 파워에 따른 트랜지스터의 전기적 특성 연구 Study on the Electrical Properties of Amorphous HfInZnO TFTs Depending on Sputtering Power Article 2 전기전자재료학회논문지, v.24, no.8, pp.674 - 677 전기전자재료학회논문지 24 8 674 677 kci ART001575544 A-HIZO Oxide semiconductor RF power Oxygen partial pressure Threshold voltage