김정섭 하승규 양창재 최원준 윤의준 이재열 박세훈 2024-01-20T19:30:32Z 2024-01-20T19:30:32Z 2021-09-06 2010-05 2288-6559 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/131466 유기금속화학기상증착법으로 적층 InAs/In0.1Ga0.9As DWELL (dot-in-a-well) 구조를 성장하여 n-i-n 구조의 적외선 수광소자를 제작하였으며, PL (photoluminescence) 발광 특성 및 암전류 특성을 분석하였다. 동일한 조건으로 양자점을 적층 하였을 때 크기 및 밀도의 변화에 의한 이중 PL peak을 관찰하였으며, TMIn의 유량을 조절함으로써 단일 peak을 갖는 균일한 크기의 양자점 적층 구조를 성장할 수 있었다. 적외선 수광소자 구조를 성장함에 있어서, 상부의 n-형 GaAs의 성장 온도가 600도 이상인 경우 PL 발광 세기가 급격히 감소하였고 이에 따른 암전류의 증가를 관찰하였다. 0.5 V 인가 전압에서 암전류의 온도 의존성에 대한 활성화 에너지의 크기는 성장온도가 580도인 경우 106 meV이고, 650도의 경우는 48 meV로 급격이 낮아졌다. 이는 고온의 성장 온도에 의한 InAs 양자점과 In0.1Ga0.9As 양자우물구조 계면에서의 열적 상호 확산에 의하여 비발광 천이가 증가되었기 때문이다. Korean 한국진공학회 유기금속화학기상증착법을 이용한 적층 InAs 양자점 적외선 수광소자 성장 및 특성 평가 연구 Study of Multi-stacked InAs Quantum Dot Infrared Photodetectors Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Article 2 한국진공학회지, v.19, no.3, pp.217 - 223 한국진공학회지 19 3 217 223 N kci ART001446020 Quantum dot Infrared photodetector InAs MOCVD 양자점 적외선 수광소자 InAs MOCVD