한일기 이정일 2024-01-20T20:30:53Z 2024-01-20T20:30:53Z 2022-01-10 2009-11 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/131974 Chemical beam epitaxy 성장법으로 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피성장 (selective area epitaxy)을 하였다. <011> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 작아지고, <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서는 선폭이 증가하는 현상이 나타났는데 이는 InGaAs의 <311>A와 B면이 <01-1> 방향에 평행한 직선패턴에서 성장되었기 때문으로 설명되었다. 성장속도가 1 ㎛/hr인 조건에서 5족 가스의 압력이 감소할수록 (100) 면 위에서 평평한 에피층이 성장되었는데 이는 5족 가스의 과포화현상에 의한 3족 원소의 표면이동으로 설명하였다. Korean 한국진공학회 화학적 빔 에피탁시에 의한 평면구조에서의 InP/InGaAs 다층구조의 선택적 영역 에피 성장 Selective Epitaxy Growth of Multiple-Stacked InP/InGaAs on the Planar Type by Chemical Beam Epitaxy Article 3 Applied Science and Convergence Technology, v.18, no.6, pp.468 - 473 Applied Science and Convergence Technology 18 6 468 473 ART001391008 Chemical beam epitaxy Selective area epitaxy Semiconductor Growth mechanism 화학적 빔 에피탁시 선택적 영역 에피성장 화합물반도체 성장 메카니즘