한일기 송진동 이정일 2024-01-20T22:31:08Z 2024-01-20T22:31:08Z 2021-09-06 2008-11 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/132995 GaAs/AlGaAs 물질계를 기반으로 한 양자폭포레이저를 제작하였다. 양자폭포레이저는 활성층의 위까지만 식각된 shallow mesa 구조와 활성층까지 식각된 deep mesa 구조로 제작되었다. shallow mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도가 26-32 kA/cm2 이었지만 deep mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도는 13 kA/cm2로 대단히 감소되었다. Deep mesa 구조에서의 문턱전류 감소는 측면 방향으로의 전류 손실이 감소되었기 때문으로 설명되었다. Korean 한국진공학회 GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser에서 deep mesa 구조에 의한 문턱전류 감소 Threshold Current Reduction of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser due to the Deep Mesa Structure Article 3 Applied Science and Convergence Technology, v.17, no.6, pp.523 - 527 Applied Science and Convergence Technology 17 6 523 527 ART001292558 Quantum cascade lasers Quantum well Threshold current 양자폭포레이저 양자우물 문턱전류