정정화 이정일 한일기 2024-01-20T22:31:10Z 2024-01-20T22:31:10Z 2021-09-06 2008-11 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/132996 순방향 전압-온도 (forward voltage-temperature)법을 이용하여 양자점 레이저 다이오드의 접합온도를 측정하였다. 식각 깊이가 깊은 mesa 구조의 경우 입력전류에 대한 접합온도의 증가율은 0.05 K/mA인 반면, 식각 깊이가 낮은 mesa 구조의 경우 0.07 K/mA로서 상대적으로 높게 측정되었다. 깊은 mesa 구조에서의 상대적으로 낮은 접합온도 증가율은 mesa 측면 방향으로의 열확산 효과 때문인 것으로 설명된다 Korean 한국진공학회 양자점 레이저 다이오드의 식각 깊이에 따른 접합온도 측정 Junction Temperature of Quantum Dot Laser Diodes Dependingon the Mesa Depth Article 3 Applied Science and Convergence Technology, v.17, no.6, pp.555 - 559 Applied Science and Convergence Technology 17 6 555 559 ART001292563 Laser diodes Quantum dots Junction temperature 레이저 다이오드 양자점 접합온도