권성도 김진상 윤석진 정대용 주병권 2024-01-20T23:30:43Z 2024-01-20T23:30:43Z 2021-09-06 2008-05 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/133512 BiSbTe$_3$ 에피박막을 유기금속화학증착법 (MOCVD)으로 (0001) Sapphire기판 위에 성장하였다. 통상적인 사파이어 기판의 세척 및 에칭과정을 거쳐 성장된 BiSbTe$_3$ 박막의 표면형상은 삼각형 형태 등의 불규칙한 결정립을 포함하는 형상을 나타내었으나 성장전 기판을 표면처리 함으로써 성장된 박막의 표면 형상을 크게 개선시킬 수 있었다. 이는 표면처리를 통하여 기판표면에 미세 결함을 형성 시켜 초기 박막성장 시 핵생성이 용이하도록 하였기 때문으로 해석되었다. 이러한 표면 처리기법은 성장된 박막의 열전 특성에 크게 영향을 끼치지 않았으며 따라서 다양한 박막형 열전소자의 제작에 응용될 수 있을 것으로 기대된다. Korean 한국물리학회 BiSbTe3/사파이어 박막의 표면형상 개선을 위한 기판의 표면처리 Chemical Treatment of Substrates for Improving the Surface Morphology of BiSbTe3 Thin Films on Sapphire Article 2 새물리, v.56, no.4, pp.364 - 368 새물리 56 4 364 368 kci ART001237500 Morphology Atomic force microscope Thermoelectric materials MOCVD Morphology Atomic Force Microscope 열전재료 MOCVD