정경욱 김광웅 유성필 조남기 박성준 송진동 최원준 이정일 양해석 2024-01-21T00:32:44Z 2024-01-21T00:32:44Z 2021-09-06 2007-09 2288-6559 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/134137 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)로 성장된 InGaAs 양자점 레이저 다이오드(quantum dot laser diode, QD-LD)와 InGaAs 양자우물 레이저 다이오드(quantum well laser diode, QW-LD)의 특성을 비교하였다. 펄스 입력전류 하에서 문턱전류밀도(threshold current density, Jth), 특성온도(characteristic temperature, T0), 온도에 따른 발진파장의 변화도(dλ/dT)를 측정한 결과, 양자우물 레이저 다이오드는 Jth = 322 A/cm2 , T0 = 55.2 K , dλ/dT = 0.41 nm/℃로 측정되었으며, 양자점 레이저 다이오드는 Jth=116 A/cm2 , T0 = 81.8 K , dλ/dT = 0.33 nm/℃로 측정되었다. 양자점 레이저 다이오드는 양자우물 레이저 다이오드와 비교하였을 때, 문턱전류밀도 및 발진 광 파워가 상대적으로 우수한 결과를 보여주었다. Korean 한국진공학회 InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교 Comparisons of lasing characteristics of InGaAs quantum-dot and quantum well laser diodes Article 2 한국진공학회지, v.16, no.5, pp.371 - 376 한국진공학회지 16 5 371 376 N kci ART001075577 양자점 양자점 레이저 다이오드 InGaAs quantum-dot quantum-dot laser diode InGaAs