김정훈 김진상 권성도 김현재 정대용 주병권 2024-01-21T01:04:56Z 2024-01-21T01:04:56Z 2021-09-06 2007-04 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/134478 (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ 에피박막을 TMBi (trimethyl-bismuth), TESb (triethyl-antimony) 및 DIPTe (diisoprophyl-telluride)을 사용하여 유기금속화학기상증착법 (MOCVD)으로 (001) GaAs 단결정 기판 위에 성장하였다. GaAs 기판의 방위를 (001)면에서 약간 이탈시킴으로 c-축 방향의 (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ 에피박막을 성장시킬 수 있었다. 박막의 전기 및 열전 특성인 Seebeck 계수, 운반자 농도 및 이동도는 상온에서 측정되었다. 열전성능을 가늠하는 power factor는 최대 2.6×10$^{-3}$ W/mK$^2$ 로 벌크형의 재료에 가까운 값을 나타내었다. MOCVD법으로 제조된 (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ 박막형 열전소재는 다양한 열전소자 제작에 널리 응용될 수 있을 것으로 기대된다. 한국물리학회 (001)GaAs기판위에 p-형(Bi1-xSbx)2Te3의 에피박막 성장 및 특성분석 Epitaxial Growth and Characterization of p-type (Bi1-xSbx)2Te3 Thin Films on (001) GaAs Article 2 새물리, v.54, no.4, pp.324 - 329 새물리 54 4 324 329 kci ART001051298 열전재료 MOCVD 전력인자 hermoelectric material MOCVD Power factor