강길범 김성일 김영환 박민철 김용태 이창우 2024-01-21T02:05:58Z 2024-01-21T02:05:58Z 2021-09-06 2006-10 1226-9360 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135056 밀도가 높고 주기적인 배열의 기공과 나노패턴이 된 텅스텐 나노점이 실리콘 산화물/실리콘 기판위에 형성이 되었다. 기공의 지름은 25 nm이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공 사이의 거리는 60 nm이었다. nm 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성했다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 건식 식각용 마스크를 만들었다. 실리콘 산화막은 불소 기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각했다. nm 크기의 트렌치 안에 선택적으로 증착된 텅스텐 나노점을 만들기 위해서 저압화학기상증착(LPCVD)방법을 이용하였다. 텅스텐 나노점과 실리콘 트렌치의 지름은 26 nm 와 30 nm였다. 한국마이크로전자및패키징학회 블록 공중합체 박막을 이용한 텅스텐 나노점의 형성 Fabrication of Tungsten Nano Dot by Using Block Copolymer Thin Film Article 2 마이크로전자 및 패키징학회지, v.13, no.3, pp.13 - 17 마이크로전자 및 패키징학회지 13 3 13 17 kci ART001033870 diblock copolymer copolymer lithography reactive ion etching nano dot nanotemplate diblock copolymer copolymer lithography reactive ion etching nano dot nanotemplate