유영채 이정일 김경찬 김은규 김길호 한일기 2024-01-21T02:32:14Z 2024-01-21T02:32:14Z 2021-09-06 2006-09 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135168 MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 1.5 ㎛의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3­dB 파장대역폭은 55 nm 이었다 한국진공학회 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성 Optical characteristic of 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP QD Superluminescent Diode Article 3 Applied Science and Convergence Technology, v.15, no.5, pp.493 - 498 Applied Science and Convergence Technology 15 5 493 498 ART001204936 InGaAs/InGaAsP/InP QD Photoluminescence Electroluminescence Superluminescent Diode 고휘도 발광소자 InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 레이저 다이오드 광 루미네센스 InGaAs/InGaAsP/InP QD Photoluminescence Electroluminescence Superluminescent Diode