김정훈 김진상 정대용 주병권 최지원 2024-01-21T03:04:39Z 2024-01-21T03:04:39Z 2021-09-06 2006-05 0374-4914 https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135528 Bi$_2$Te$_3$ 및 Sb$_2$Te$_3$ 에피 박막을 trimethylbismuth, triethylantimony, 및 diisopropyltelluride을 사용하여 유기금속 기상 증착법으로 (001) GaAs 단결정 기판 위에 성장하였다. 성장된 Bi-Te 계 박막은 층상 구조를 이루며 $c$-축 방향으로 배향된 단결정임을 전자현미경 및 X-선 회절 분석결과 확인 할 수 있었다. 2차원의 step-flow 형태로 성장이 일어났음을 박막의 표면형상을 관찰한 결과 확인 할 수 있었다. Bi$_2$Te$_3$ 박막의 경우 Sb$_2$Te$_3$와는 달리 수평방향으로 성장 속도의 이방성이 존재함을 AFM 분석을 통하여 확인하였다. 이러한 열전소재의 제조 공정은 박막형 열전냉각 소자 및 발전소자의 제작에 널리 응용될 수 있을 것으로 기대된다. 한국물리학회 MOCVD 법으로 성장된 Bi2Te3 및 Sb2Te3 박막의 구조적 특성 Structural characteristics of Bi2Te3 and Sb2Te3 films on GaAs substrates grown by MOCVD Article 2 새물리, v.52, no.5, pp.463 - 467 새물리 52 5 463 467 kci ART001009241 Bi$_2$Te$_3$ Sb$_2$Te$_3$ 열전재료 MOCVD Bi$_2$Te$_3$ Sb$_2$Te$_3$ thermoelectric material MOCVD